inas/gasb二类超晶格中中波双色红外焦平面探测器 更新时间:2024年11月25日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 实力供应商 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 面议 天津 STANDA高速光电探测器11HSP 符合千兆赫带宽要求的组件 天津瑞利光电科技有限公司 2年 查看详情 面议 天津 STAND...
外延工艺顺序简要介绍如下:首先,在GaSb衬底层上生长一层GaSb缓冲层用来改善界面粗糙度,实现原子台阶;接着在缓冲层上生长100 nm厚的15 MLs InAs/8 MLs GaSb超晶格,并进行1×10¹⁸ cm⁻³的Si掺杂,以此作为长波通道的下接触层,在下接触层上生长15 MLs InAs/8 MLs GaSb超晶格长波通道吸收层;然后,在长波...
长/长波双色InAs/GaSb超晶格焦平面探测器芯片研究 双色红外探测器可以同时获取目标和环境在两个波段的辐射特征,从而有效抑制复杂的背景噪声,实现不受环境制约的红外探测,提升目标的探测效果,在预警、搜索和跟踪系统中能明显地降低虚警率,显著地提高系统性能。目前双色红外探测器的研究主要包括短/中波、中/中波、中/...
pBp 器件结构吸收层和电极层是 13 ML InAs/7 ML GaSb 超晶格,势垒层是 15 ML InAs/4 ML AlSb 超晶格。 SCD 在 2014 年报道了在 InAs/GaSb 二类超晶格长波焦平面探测器的研究进展。SCD 关于 InAs/GaSb 二类超晶格长波焦平面探测器的研究包括3 方面:计算模拟软件的开发与应用;单元器件性质研究;Pelican-D ...
一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法,包括:采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法,在衬底上依次生长缓冲层,二类超晶格层,本征二类超晶格光吸收层,N型二类超晶格层和N型欧姆接触层,形成外延片;对外延片进行光刻,然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法,对外延片进行腐蚀或刻蚀;使用甩胶机在刻蚀后的...
InAs/GaSb二类超晶格探测器将向大规模、超大规模阵列方向发展，也将适用于双色及多波段，器件性能将进一步提高，工作温度将进一步提升，具备智能化、信息处理能力，同时成本将大幅降低，能够满足更多的应用需求。作者简介 吕衍秋（1978-），山东汶上人，博士，研究员，中航工业空空导弹研究院光电器件研究所所长，红外探测...
中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段,在各个领域都有着非常重要的作用。高性能的制冷型红外探测器材料主要包括HgCdTe(MCT)、InSb体材料、Sb化物II类超晶格和量子阱探测器等。Sb化物II类超晶格材料同时具有俄歇复合率低、电子有效质量大、材料均匀性好等特点,InAs/GaSb超晶格是最早研究的II类超晶格结构,基于该...
红外探测器 摘要:InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片...
以中波红外InAs/GaSb二类超晶格为例,当生长晶格与GaSb衬底相匹配时,截止波长为4.1μm时,通过MBE生长的势垒型探测器材料的质量更好。 目前,除了上述势垒型探测器的研究,国外一些公司,如DRS公司和Selex公司使用了基于带有特殊像元结构的n-on-p/HgCdTe技术来提升焦平面工作温度。美国Teledyne公司利用p-on-n/HgCdTe技术...
2.如权利要求2所述的高温工作InAs‑InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构,其特征在于,还包括有依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层和GaSb缓冲层,GaSb缓冲层与n型掺杂InAs/InAsSb下电极层相连。 3.如权利要求2所述的高温工作InAs‑InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构,其特征在于,所述GaAs缓冲层的厚度为0.25μm...