对于In掺杂,在同一生长过程中,通过调整In源温度可制备出不同掺杂水平的碲镉汞。美国Raytheon Vision Systems公司的相关研究表明,在相同的生长过程中,In掺杂对MCT的组分值不敏感。对于给定的源温,不论组分值是多少,都会得到相同的掺杂水平。在典型的生长温度范围(170～190℃)内,In掺杂不依赖于生长温度,而只依赖于生长...
自然降温冷却后取出即得cigs吸收层薄膜;步骤五、在上述cigs吸收层薄膜上用cbd方法沉积in掺杂cds薄膜;步骤六、制备本征zno和al掺杂zno窗口层;具体实验参数如下:用交流磁控溅射沉积50 nm的本征zno层,ar气流量为5 mtorr,溅射功率为80 watts;用直流磁控溅射沉积250 nm的al:zno层,ar气流量为1 mtorr,溅射功率为75 wat...
中国科学技术大学硕士学位论文In掺杂的GaFe03磁性与拉曼光谱研究作者姓名:***:导师姓名:***:吕艳娣凝聚态物理阮可青副教授二。一三年五月十二日 lUl}IMIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIlUlIIIIIIIlY—2———3——5—4——9———7—4———UniversityofScienceandTechnologyofChinaAdissertationformaster’SdegreeEFFECTOFIND...
然而,硫化物固态电解质与锂的不相容性和较差的空气稳定性阻碍了它们的商业应用。本文通过In和O共掺杂Li6PS5Cl合成了新型Li6+2xP1−xInxS5−1.5xO1.5xCl (0 ≤ x ≤ 0.1) SSEs。通过调节取代浓度,制备的Li6.12P0.92In0.08S4.88O0.12Cl表现出相当高的离子电导率((2.67 × 10−3 S cm−1)和更强的...
通过无毒元素Ge、In掺杂在多晶SnSe材料中获得了高宽温域热电性能,其在423-873K温区平均热电优值达到88。 【数据概览】 图1(a)SnSe的SEM图,(b-d)Sn1-2xGexInxSe纳米片的SEM图。 溶液合成法生成了Ge、In双掺杂SnSe纳米片,研究发现通过引入Ge和In明显降低了晶粒尺寸,生成了50-100nm的纳米片。
掺杂In2O3及两种Zintl相化合物就是其中的研究热点之一。 In2O3是一种具有良好电导性和光电化学性能的氧化物材料。研究表明,通过掺杂可以改变In2O3的电子结构,从而提高其热电性能。掺杂是将少量外部原子引入晶格结构中,改变材料的物理性质。常见的掺杂元素包括Sn、Zn、Al等。研究表明,Sn掺杂可以提高In2O3的电导率...
随着In掺杂量减小和富Tc量的增加,晶体逐渐的由 n型转变为P型。当111掺杂量为5X1017cmd,"re附加量为83ppma时,获 V 上海大学硕士学位论文 得了电阻率较高的IIl掺杂CdZnTe晶体,达到1.89X1010Qcm。 关键词:CdZnTe、In掺杂、低压布里奇曼法、热应力模拟、电学性能 VI 上海大学硕士学位论文 ABSTRACT Cdt-xZnxTe has...
重掺杂的n型氧化锡(SnO2)纳米线 钌Ru掺杂SnO2(SnO2:Ru)纳米线 二氧化锡/氧化锌复合纳米线材料 可拉伸SnO2-CdS交叠纳米线薄膜 Au/单根SnO2纳米线/Au二端纳米器件 SnO2/ZnS核壳结构纳米线 SnO2掺Ag纳米线(SnO2:Ag) 镍掺杂二氧化锡纳米线(SnO2:Ni) ...
近日,中科院化学所韩布兴(点击查看介绍)课题组利用In基金属有机框架结构(MOFs)和双氰胺的共热解制备了锚定在N掺杂碳(InA/NC)上的In单原子催化剂。透射电镜(TEM)图像可以看出InA/NC具有典型的类石墨烯结构,利用像差校正的高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)对单原子分散的In进行测试,可以明显看到单原子In...
这里掺杂着其他的问题。 Other issues are implicated in this. zhè bù diàn shì lián xù jù shǐ shí zhī zhōng chān zá zhe xū gòu 这部电视连续剧史实之中掺杂着虚构。 This TV series mix historical facts with fantasies. synonym chān huo掺和chān hu掺乎 2 adj.doped chān zá bàn d...