IMZ120R350M1H是采用TO247-4封装的1200 V、350 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关...
制造商编号IMZ120R350M1HXKSA1 制造商Infineon(英飞凌) 唯样编号A-IMZ120R350M1HXKSA1 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 Infineon-IMZ120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf
零件号别名: IMZ120R350M1H SP001808378 单位重量: 6.160 g IMZ120R350M1HXKSA1 存储IC INFINEON 封装N/A 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特...
电子零件型号:IMZ120R350M1HXKSA1 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询IMZ120R350M1HXKSA1的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货,满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求!
IMZ120R350M1H TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V トレンチ構造のSiC MOSFET TO247-4パッケージの1200V、350 mΩのCoolSiC™ SiC MOSFETは、高い性能と信頼性を併せもつよう最適化された最新のトレンチ構造の半導体プロセスです。IGBTやMOSFETなどのシリコン(Si)ベースの既存スイッチに比...
IMZ120R350M1H Überblick Diagramme Parameter Dokumente Bestellung Design Support Trainings SupportCoolSiC™ MOSFET 1200 V, 350 mΩ in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process is optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional ...