IMZ120R220M1H是采用TO247-4封装的1200 V、220 mΩCoolSiC™ MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及...
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IMZ120R220M1HXKSA1 数量:2997 厂商:Infineon Technologies 批号:21+ 封装:原装 全新原装现货!Infineon Technologies/英飞凌 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 *姓名: *电话: Q Q: *邮箱: 提交询价信息 ...
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制造商编号 IMZ120R220M1H 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-IMZ120R220M1H 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):1200V 栅源极阈值电压:5.7V @ 1.6mA 漏源导通电阻:220mΩ @ 4A, 18V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:...
IMZ120R220M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package TheCoolSiC™1200 V, 220 mΩSiC MOSFETin TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches...
OPN Info IMZ120R220M1HXKSA1 Product Status active and preferred Infineon Package name PG-TO247-4 Standard Package name TO247 4-pin Order online Buy online Completely lead free yes ハロゲンフリー yes RoHS compliant yes Packing Size 240 Packing Type TUBE Moisture Level NA Moisture Packing...
IMZ120R220M1H TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFET TO247-4パッケージのCoolSiC™ SiC MOSFET1200V, 220mΩは、高い性能と信頼性を実現する最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチに比べて、SiC ...
IMZ120R220M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package TheCoolSiC™1200 V, 220 mΩSiC MOSFETin TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches...