IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩCoolSiC™SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗...
IMZ120R140M1H产品信息: 采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC 沟槽式碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 毫欧CoolSiCSiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅...
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零件号别名: IMZ120R140M1H SP001946186 单位重量: 6.161 g IMZ120R140M1HXKSA1 存储IC INFINEON 封装N/A 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。
系列 IMZ120R140 晶体管类型 1N-Channel 正向跨导-最小值 3S 下降时间 11.6ns 上升时间 2ns 典型关闭延迟时间 10.3ns 典型接通延迟时间 5ns 单位重量 6.161g 可售卖地 全国 型号 IMZ120R140M1HXKSA1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
型号 IMZ120R140M1HXKSA1 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IMZ120R140M1HXKSA1 封装: Tape Reel 批号: 2023 数量: 3324 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 9V 长度: 9.7mm 宽度: 2.5mm 高度: 2.2mm 价格说明 价格:...
IMZ 系列 1200 V 140 mOhm 13 nC 通孔 碳化硅 Mosfet - TO-247-4 IMZ120R140M1HXKSA1 数据手册 ECAD模型: 制造商: Infineon 标准包装: Product Variant Information section 30/管装 Date Code: Product Specification Section Infineon IMZ120R140M1HXKSA1 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往...
2、参数:IMZ120R140M1HXKSA1 (IMZ120R140M1H) FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值):182 毫欧 @ 6A,18V ...
厂商: EUPEC(英飞凌) 封装: TO247-4-1 描述: IMZ120R140M1HXKSA1 数据手册:下载IMZ120R140M1HXKSA1.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 IMZ120R140M1HXKSA1 数据手册 切换侧栏 查找 上一页 下一页 / 17 演示模式打开当前在看 缩小 放大 Datasheet Please read the Important Notice and Warnings at...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 存储IC 商品关键词 IMZ120R140M1HXKSA1、 INFINEON、 N/A 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 封装: N/A 数量: 238271 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-4 晶体管极性: ...