IMZ120R060M1H是采用TO247-4封装的1200 V、60 mΩCoolSiC™SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以...
The IMZ120R060M1H parts are N-CHANNEL 1200 V 36A (TC) 150W (TC) THROUGH HOLE PG-TO247-4-1, manufactured by Infineon are available for purchase at Jotrin Electronics. Here you can find various types and values of electronic parts from the world's leading manufacturers. The IMZ...
资源类型链接规格书IMZ120R060M1H环保信息RoHS CertificateEDA 模型IMZ120R060M1HXKSA1 by SnapEDA IMZ120R060M1HXKSA1 by Ultra Librarian 环境与出口分类 属性描述RoHS 状态符合 ROHS3 规范湿气敏感性等级 (MSL)不适用REACH 状态非 REACH 产品ECCNEAR99HTSUS8541.29.0095 参数:13539919825...
本公司生产销售芯片一站式配 芯片,提供芯片一站式配专业参数,芯片一站式配价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.芯片一站式配 芯片一站式配 品牌Inf|产地广东|价格1.00元|型号IGBT|最小包装量240|封装/规格TO247,TO263|包装盒装|单价咨询为准广东芯片一站式配;Inf芯片
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Shenzhen Chenxinhong Electronics Co., Ltd.6 yrsCN 重要属性 其他属性 原产地 Guangdong, China 品牌 original brand 型号 IMZ120R060M1HXKSA1 安装类型 other 描述 other Product Name IMZ120R060M1HXKSA1 D/C new and original Packing reel PAYMENT ...
Power Dissipation:150W;Drain Source Voltage:1200V;Category:Silicon Carbide (SiC) Devices/Silicon Carbide Fiel;Datasheet:Infineon Technologies IMZ120R060M1H;Place of Origin:standard;Brand Name:Sxinen;Model Number:IMZ120R060M1H;Application:standard;Product
价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可能随着购买数量不同或所选...
数据表 MSC040SMA120B4.pdf Infineon-IMZ120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) - 150W(Tc) 技术 - SiCFET(碳化硅) 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1.06nF @ 800V FET类型 - N 通道 封装/外壳 TO-247-4 TO-247-4 不同Id时Vgs(...
封装: TO247-4-1 描述: IMZ120R060M1HXKSA1 数据手册:下载IMZ120R060M1HXKSA1.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 IMZ120R060M1HXKSA1 数据手册 IMZ120R060M1H IMZ120R060M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1 Very low switching losses ...