IMZ120R060M1H是采用TO247-4封装的1200 V、60 mΩCoolSiC™SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以...
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资源类型链接规格书IMZ120R060M1H环保信息RoHS CertificateEDA 模型IMZ120R060M1HXKSA1 by SnapEDA IMZ120R060M1HXKSA1 by Ultra Librarian 环境与出口分类 属性描述RoHS 状态符合 ROHS3 规范湿气敏感性等级 (MSL)不适用REACH 状态非 REACH 产品ECCNEAR99HTSUS8541.29.0095 参数:13539919825...
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IMZ120R060M1H 电子元器件 中文资料+参数 23+ 价格 ¥ 1.00 ¥ 0.50 ¥ 0.30 起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 电源管理IC 商品关键词 8位MCU单片机、 集成电路、 处理器、 微控制器、 芯片数模转换器 ...
封装: TO247-4-1 描述: IMZ120R060M1HXKSA1 数据手册:下载IMZ120R060M1HXKSA1.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 IMZ120R060M1HXKSA1 数据手册 IMZ120R060M1H IMZ120R060M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1 Very low switching losses ...
价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可能随着购买数量不同或所选...
IKW40N120CS7 | IGBT discretes IDH20G120C5 | CoolSiC™ Schottky Diodes BSC190N15NS3 G | N-Channel Power MOSFET ICE2QS03G | PWM-QR (quasi resonant) Flyback ICs BSS123N | Small signal/small power MOSFET IRFP4668 | N-Channel Power MOSFET IMZA65R027M1H | Silicon Carbide MOSFET Discrete...