IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC™SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以...
OPNInfoIMZ120R030M1HXKSA1 Product Statusactive Infineon Package namePG-TO247-4 Standard Package nameTO247 4-pin Order online Buy online Completely lead freeyes Halogen freeyes RoHS compliantyes Packing Size240 Packing TypeTUBE Moisture LevelNA ...
IMZ120R030M1H 电子元器件 Infineon(英飞凌) 封装NA 批次23+ 价格 ￥0.55 ￥0.45 ￥0.36 起订量 100个起批 500个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;集成电路(IC);其他集成电路 产品标签 IMZ120R030M1H;Infineon(英飞凌)...
型号 IMZ120R030M1HXKSA1 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IMZ120R030M1HXKSA1 批号: 2020+ 数量: 45000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1200 V Id-连续漏极电流...
型号 IMZ120R030M1H 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
型号 IMZ120R030M1H IMZ120R030M1H 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IMZ120R030M1H IMZ120R030M1H 封装: TO-247 批号: 2年内 数量: 15000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 8V 长度: 4.8mm 宽度: 4.9mm 高度:...
IMZ120R030M1H The CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers ...
IMZ120R030M1H医疗电源汽车散热水冷风机价格 ¥ 23.00 ¥ 28.00 ¥ 33.00 起订数 1000起批 100起批 3起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 生长炉半导体IGBT模块2MBI200VH-120-80控制器安防设备测试电源 ¥ 133.00 PFB1212GHE轴流离心医疗通风设备 ¥ 10.00 磁通门原理传感器IN2000-...
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商INFINEON 制造商产品编号IMZ120R030M1HXKSA1 库存编号3223684 产品范围CoolSiC 也称为IMZ120R030M1H, SP001727394 技术数据表 Data Sheet
容性耦合 GMR(磁阻传感) 磁性耦合 图片仅供参考,商品以实物为准 IMZ120R030M1H如有需求,请联系客服获取散装最优惠报价 产品名称:IMZ120R030M1H 品牌:INFINEON 包装方式:TUBE 封装:TO-247 标准包装数:30 库存渠道:联营合作库存 最小起订量:10 单价:￥ 156 ...