IMBF170R650M1 综述 图表 指标参数 文件 订单 设计支持 支持采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
我使用IMBF170R650M1搭建了一台對稱半橋拓樸的高壓小功率DCDC樣機。由於Id極小(僅30mA),在計算IMBF170R650M1的損耗時,只計入了Coss充放電所造成的容性開通損耗。但實驗中發現,實際損耗值遠大於根據數據手冊得到的計算值。 請指導我計算實驗工況下(100kHz,直流電壓Vds=1000V,漏極電流Id=30mA,對稱半橋拓樸)IMBF170...
(实际上我只使用通道A来驱动MOSFET IMBF170R650M1。 通道 B 仅用于触发反馈) 但是当我用探头探测信号 @ sma 端口时,还有另一个脉冲(大约 1 毫秒) 宽度)大约 200 秒后。 通道 A 输出信号和 mosfet 行为与上面的信号一致。 我不明白当连接到驱动器 IC 2EDF7275K 时,单个脉冲触发单数如何...
制造商编号 IMBF170R650M1 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-IMBF170R650M1 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 IMBF170R650M1.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参...
IMBF170R650M1 采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩSiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。 特征描述...
(实际上我只使用通道A来驱动MOSFET IMBF170R650M1。 通道 B 仅用于触发反馈) 但是当我用探头探测信号 @ sma 端口时,还有另一个脉冲(大约 1 毫秒) 宽度)大约 200 秒后。 通道 A 输出信号和 mosfet 行为与上面的信号一致。 我不明白当连接到驱动器 IC 2EDF7275K 时,单个脉冲触发单数如何产生更...
(实际上我只使用通道A来驱动MOSFET IMBF170R650M1。 通道 B 仅用于触发反馈) 但是当我用探头探测信号 @ sma 端口时,还有另一个脉冲(大约 1 毫秒) 宽度)大约 200 秒后。 通道 A 输出信号和 mosfet 行为与上面的信号一致。 我不明白当连接到驱动器 IC 2EDF7275K 时,单个脉冲触发单数如何产生更...
(实际上我只使用通道A来驱动MOSFET IMBF170R650M1。 通道 B 仅用于触发反馈) 但是当我用探头探测信号 @ sma 端口时,还有另一个脉冲(大约 1 毫秒) 宽度)大约 200 秒后。 通道 A 输出信号和 mosfet 行为与上面的信号一致。 我不明白当连接到驱动器 IC 2EDF7275K 时,单个脉冲触发单数如何...