硬开关1200 V、75 ATRENCHSTOP™ IGBT7 S7分立式器件采用TO-247封装,内置EC7 二极管。它具有低饱和压降(VCEsat),可在目标应用中实现超低的导通损耗,与其共同封装的超快速、软恢复发射极控制二极管有助于最大限度地减少开关损耗,从而整体降低总损耗。 特征描述 非常低的饱和压降(Vcesat) 可控性佳 全额定电流续...
QGate450 nC Qrr10900 nC RG2.1 Ω RGint- Switching Frequencyminmax2 kHz 20 kHz TechnologyTRENCHSTOP™ IGBT7 VCE(sat)2 V VCEmax1200 V VF1.6 V VGE(th)5.7 V td(off)253 ns td(on)36 ns tf230 ns tr26 ns 注文 Sales Product NameIKQ75N120CS7 ...
制造商编号 IKQ75N120CS7 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-IKQ75N120CS7 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 系列:IGBT 7 Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 technology copacked with soft, fast recovery Emitter Controlled 7 diode分享...
英飞凌/IGBT单管(IKQ75N120CS7)针对具体应用的不同需求,英飞凌开发了完善的分立式IGBT系列产品。较强的针对性使器件能在特定应用中处于*佳工作状态,有利于提高品质标准。英飞凌提供业界专业性*强的分立式IGBT器件,帮您实现*理想的应用性能。 详情介绍:
iposim 中找不到ikq75n120cs7 器件 Translation_Bot Community Manager 2 四月 2024 查看原创内容: English | 原作者: hunk198 这是机器翻译的内容 iposim仿真软件中 中找不到 ikq75n120cs7器件? 已解决! 转到解答。标签: IGBT – 绝缘栅双极晶体管 IGBT 分立器件 POWER_DRILL2GO ...
IKQ75N120CS7XKSA1 耐短路 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 技术与软、快速恢复发射极控制 7 二极管。 产品参数: 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS:详细信息 技术:Si 封装/ 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV ...
Data Manual:IKQ75N120CS7XKSA1.pdf Encapsulation: TO-247-3 Delivery Date: New and Original Stock: 10000 Piece Number: InquiryAdd Contrast Technical Parameter Manufacturer INFINEON Packing Original Genuine Packaging Describe IGBT Transistor Package ...