II-VI族的代表,我想向你表示祝贺您参与该计划。如果您有任何疑问,请与我联系。2013-05-23 12:21:38 回答:匿名 第二代的上的vi,我谨祝贺你参加本计划的条件。 请联系我如果您有任何问题。2013-05-23 12:23:18 回答:匿名 代表II-VI,我希望祝贺您在您的参与这个节目。 如果您有任何问题,请与我联系。 20...
II-VI族半导体外延及其探测器制作虚拟仿真实验是厦门大学建设的虚拟仿真实验课程。课程性质 课程背景 半导体材料及其器件在现代信息社会发展中起着极其重要的作用。在国家急需培养半导体”芯人”, 突破关键共性技术等半导体产业发展战略大背景下，为 了实现创新型、复合型、应用型人才的培养需求,我们秉承"物理为先导,材料...
《II-VI族一维半导体纳米材料形核与生长机制研究》是依托中国科学院理化技术研究所，由孟祥敏担任项目负责人的面上项目。项目摘要 选择不同尺寸的Au和Ag颗粒作为催化剂、选择有代表性的II-VI族半导体材料CdS和ZnSe作为源材料，采用两种方法研究一维半导体纳米材料形核生长机制：1.利用透射电镜中的双倾加热台，原位研究...
《II-VI族化合物空心多面体纳米结构的制备及光/电特性》是依托山东大学，由陈代荣担任项目负责人的面上项目。中文摘要 本项目将以金属无机盐(氯化物、硫酸盐、硝酸盐等)或配合物多面体微/纳米晶作牺牲模板，在设计的液相体系中，利用氧化还原或置换等化学反应使目标化合物纳米晶在模板表面异相成核、晶体生长或定...
《II-VI族超原子双/多光子吸收特征的理论研究》是依托哈尔滨工业大学，由李伟奇担任项目负责人的面上项目。项目摘要 半导体纳米团簇作为一种新型功能材料，由于具有良好的热稳定性和独特的量子尺寸效应，在非线性光学材料和器件领域具有潜在的重要应用价值。然而受实验合成技术及理论计算方法的限制，人们对半导体纳米团簇非...
《II-VI族纳米同质结可控制备及其光电子器件的研究》是依托苏州大学，由揭建胜担任项目负责人的面上项目。项目摘要 纳米PN结是纳米光电子器件的核心，其中同质结的研究尤为重要。II-VI族非氧化物纳米结构虽具有优良光电性质，但由于在互补掺杂、PN结制备、器件集成等方面的困难，其纳米同质结的研究仍相对滞后，阻碍了...
《IV族、III-V和II-VI族半导体材料的特性》是2009年7月由科学出版社出版的图书，作者是Sadao Adachi。内容简介 《4族、3-5和2-6族半导体材料的特性》内容简介:以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光...
《单带差II-VI族超晶格薄膜的制备及其性能的研究》是依托四川大学，由黎兵担任项目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 A.Lugue等人近期提出多带隙半导体太阳电池模型。M.Green的计算表明，这种电池的的理论转换效率上限为86.8%，并称此类太阳电池为第三代太阳电池，有望大幅度提高太阳电池的光电转换效率。实现这种多...