在VDMOS芯片中IGSS是衡量芯片性能的一项重要参数,它直接影响着器件工作功耗,降低器件使用寿命,严重时可直接使器件烧毁功能不正常,在晶圆测试阶段通常把IGSS规范设置为<100(nA),在晶圆生产中虽说IGSS失效比较常见,但降低IGSS的失效率是每个Fab厂共同的目标。 IGSS测试电路图如图3所示,源漏(DS)短接,栅源(GS)之间加设定...
【精品】第11章 板级电路失效分析典型案例(213-230) 功率VDMOS器件失效分析与可靠性研究 沟槽栅MOSFET芯片级失效分析的研究 MOS管失效原因分析 excel基础知识培训 VDMOS器件IGSS失效问题研究 格式:PDF 页数:4 上传日期:2017-08-28 21:00:28 浏览次数:1000 下载积分:2990 加入阅读清单 还剩...
文中从VDMOS器件结构及工艺入手,通过电学性能测试分析及FA失效分析对一种特定区域的IGSS失效问题进行研究,发现是多晶刻蚀残留导致IGSS失效,并分析了多晶残留的原因,最终通过加入SF6,调整多晶刻蚀菜单解决了IGSS失效。 关键词:VDMOS;IGSS漏电,栅源短路,多晶残留,SF6 1引言 目前VDMOS的工艺技术已经十分成熟,但生产中...
文中从VDMOS器件结构及工艺入手,通过电学性能测试分析及FA失效分析对一种特定区域的IGSS失效问题进行研究,发现是多晶刻蚀残留导致IGSS失效,并分析了多晶残留的原因,最终通过加入SF6,调整多晶刻蚀菜单解决了IGSS失效。 关键词:VDMOS;IGSS漏电,栅源短路,多晶残留,SF6 1引言 目前VDMOS的工艺技术已经十分成熟,但生产中...
文中从VDMOS器件结构及工艺入手,通过电学性能测试分析及FA失效分析对一种特定区域的IGSS失效问题进行研究,发现是多晶刻蚀残留导致IGSS失效,并分析了多晶残留的原因,最终通过加入SF6,调整多晶刻蚀菜单解决了IGSS失效。 关键词:VDMOS;IGSS漏电,栅源短路,多晶残留,SF6 1引言 目前VDMOS的工艺技术已经十分成熟,但生产中...
文中从VDMOS器件结构及工艺入手,通过电学性能测试分析及FA失效分析对一种特定区域的IGSS失效问题进行研究,发现是多晶刻蚀残留导致IGSS失效,并分析了多晶残留的原因,最终通过加入SF6,调整多晶刻蚀菜单解决了IGSS失效。 关键词:VDMOS;IGSS漏电,栅源短路,多晶残留,SF6 1引言 目前VDMOS的工艺技术已经十分成熟,但生产中...