因此，VGE(th)(T)该方法可用于硅基IGBT对于器件的结温测试，唯一要注意的是不能和VCE(T)由于所代表的物理意义不同，法律进行了横向比较。进一步地，SiCMOSFET在偏置作用下捕获格栅氧层界面缺陷会导致连续阈值电压漂移，使格栅氧层界面缺陷捕获通道电子VGE(th)(T)法律暂时不适合，结合谷易电子socket测试座行业应用...
1 常用的结温测试方法 因为IGBT芯片在模块内部，难以直接测量，也不易直接接触，国内外关于IGBT芯片的结温测试方法有很多研究，这也是近年来半导体器件的研究热点与难点之一。现有的IGBT模块内部芯片的结温检测技术可大致分为如下三种方法：热敏参数法、热成像法和热电偶法。1.1 热敏参数法 因为半导体器件内部物理参数...
2.学术界以及工程应用领域目前已经提出若干种可以较为准确的测试IGBT结温的方法,但是多数受限于测试条件严苛或者对测试设备要求较高,某些测试方法涉及到的测试成本也比较高,局限于此,本文提出一种在工程阶段可以在较低成本控制的情况下,可以较为准确的直接测试结温的方法,经过验证,方法可行,且易于推广,在工程设计阶段可...
一种IGBT模块内部芯片结温测试方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种IGBT模块内部芯片结温测试方法说明:本发明公开了一种IGBT模块内部芯片结温测试方法,该测试方法为:首先将IGBT芯片焊接在覆铜的...专利查询请上爱企查
法律状态 2021-04-23 公布 摘要 本发明涉及温度测量领域,具体为一种电动汽车控制器中并联IGBT的结温测试方法。一种电动汽车控制器中并联IGBT的结温测试方法,其特征是:按如下步骤依次实施:①提取关系曲线;②计算损耗功率;③计算静态热阻。本发明操作方便,测量准确。新闻...
Semiconductor Technology Vol.45 No.2 163基金项目:国家电网公司项目 (5455GB180002)E-mail:454083159@qq.com高压大功率 IGBT 器件高温阻断测试结温检测方法张雷1,2(1. 先进输电技术国家重点实验室,北京 102209;2. 全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209)摘要:高压大功率 IGBT 器件主要用于高压直流输电、轨道...
一种IGBT模块内部芯片结温测试方法,所述测试方法为:首先将IGBT芯片焊接在覆铜的陶瓷基板上,然后在IGBT芯片旁设定距离处焊接一个二极管芯片,所述二极管芯片的上表面是阳极,下表面是阴极;通过铝线键合方式,将所述二极管芯片的两个电极引出到所述陶瓷基板的覆铜层上,然后覆铜层再通过铝线键合方式引出到外接的二极管芯片...
需要测量循环加热阶段的功率IGBT(S2开通,S3打开,同时打开S1.关闭负载电流加热装置;S切断负载电流并测量IGBT将设备转换为阈值电压模式(S2关断,S3打开)测量结温。可以看到,VGE(th)(T)该方法不仅电路结构复杂,而且控制时间相对复杂,测量延迟的选择也至关重要。同时,一个合适的电阻必须并联在栅极和发射极的两端,kΩ为...