4.1 开通功耗(Turn-on power loss):指的是IGBT开通过程中产生的功耗。 4.2 关断功耗(Turn-off power loss):指的是IGBT关断过程中产生的功耗。 4.3 开通损耗(Turn-on loss):指的是IGBT从关断到通态状态转换过程中产生的能量损耗。 4.4 关断损耗(Turn-off loss):指的是IGBT从通态到关断状态转换过程中产生的能...
[5] MASWOOD A I.A switching loss study in SPWM IGBT inverter[C].Proceedings of 2nd IEEE International Conference on Power and Energy.Malaysia:IEEE 2008:609-612. [6] Wu Rui,Wen Jialiang.A power loss calculation method of IGBT three-phase SPWM converter[C].Proceeding of 2012 InternationalCon...
他应该算是Power MOS撑电压最高的了,可以到1000V。 3、IGBT的结构和原理 上面介绍了Power MOSFET,而IGBT其实本质上还是一个场效应晶体管,从结构上看和Power MOSFET非常接近,就在背面的漏电极增加了一个P+层,我们称之为Injection Layer (名字的由来等下说).。在上面介绍的Power MOSFET其实根本上来讲它还是传统的...
是的,还真有,AB Rockwell公司的Power Flex7000中压电流型逆变器采用的就是对称性门极环流晶闸管(Symmetrical Gate Commutated Thyristor,SGCT),SGCT的正反向的阻断电压是一样的。Baliga的著作“Fundamentals of power devices ”9.1节上也讲到了对称型IGBT,感兴趣的小伙伴可以去了解一下... 有点扯远了,回过头来继续...
之前我有介绍Power MOSFET,而IGBT其实本质上还是一个场效应晶体管,从结构上看和Power MOSFET非常接近,就在背面的漏电极增加了一个P+层,我们称之为Injection Layer(名字的由来等下说).。在之前我有介绍的Power MOSFET其实根本上来讲它还是传统的MOSFET,它依然是单一载流子(多子)导电,所以我们还没有发挥出它的极致性...
第一个进入市场的MOS系大功率元件是POWER MOSFET,当初之高耐压MOSFET的功率损失(POWER LOSS)很大,而且,驱动方法与以往不同,因而为电路设计老手所排斥。不过,其高频特性十分优秀,不易破坏在低电源电压下动作时之功率损失(POWER LOSS)远低于以往之元件,因此,发挥其优点的应用技术逐渐普及,以缓慢而稳定的速度扩展市场。
输入电压：1000V；输出电压：500V；输出电感：1mH；负载电阻：5Ω；开关频率：5kHz 占空比：0.5；IGBT：英飞凌FF300R17ME4。Psim仿真电路见图1。图 1 Psim仿真模型 英飞凌网站主页IPOSIM工具入口方法见图2。英飞凌官方功率计算网站 http://infineon.transim.com/iposim/HighPower/All/TopologySelection.aspx ...
英飞凌官方功率计算网站 /iposim/HighPower/All/TopologySelection.aspx 图 2 英飞凌网站主页IPOSIM 工具入口 1. 手工计算IGBT 损耗 (1)计算IGBT 导通损耗。 手册中给定的器件FF300R17ME3 的IGBT 导通电流与压降关系如图3 所示。 图 3 IGBT 导通电流与压降 IGBT 导通时,从上述条件,可知,负载电压500V,负载平均...
IPOSIM – Infineon power simulation tool Infineon Read More IPOSIM – Infineon online power simulation tool for loss and thermal calculation of Infineon power modules and disk devices (PLECS). 仿真工具 Simulate ONLINE - 350V single phase buck inverter using IR2181 driver and negative gate-off volta...
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