IGBT在有源区损耗会很大,应该尽快跨过该区域。 ③饱和区: 当Vge≥Vge(th),且Vce<Vge-Vge(th)时,IGBT处于饱和区(电压饱和),该区域集电极电流基本不再受门极电压控制,主要由外部电路决定。该区域的曲线和MOS类似,但是名字却不一样,主要是因为IGBT完全导通后的饱和压降主要取决于电导调制,而MOS的导通压降主要取...