IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种由MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和GTR(巨型晶体管,属双极型晶体管)复合而成的器件。其结构中,MOSFET提供高输入阻抗和快速开关特性,而GTR(BJT)部分则通过少子注入降低导通压降,从而在高压、大电流应用中实现更优的通态压降。题目中“通态压降低”正确描述了IGBT的特性,因为...
请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管 GTO;功率场效应晶体管 MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复
Insulated Gate Bipolar Transistor,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。 ●简介: IGBT是一种由控制电路来控制,是否导电的半导体。比如控制电路指示为通,那么IGBT就是导体,电流畅通,如果控制电路指示为断,那么IGBT就是绝缘体,电流断开。 IGBT只要通过脉宽调制,就能轻松的把输入的直流电流变成人们所需要频率的交流电,...
1. IGBT的优点包括开关速度高、开关损耗小、耐脉冲电流冲击能力强、通态压降较低、输入阻抗高，并且是电压驱动，驱动功率小。缺点是开关速度低于电力MOSFET，电压和电流容量不及GTO。2. GTR的优点是耐压高、电流大、开关特性好、通流能力强，饱和压降低。缺点是开关速度低，采用电流驱动，所需的驱动功率...
摘要:下面是 [IGBT是集MOSFET和GTR的优点的功率器件]的电路图 IGBT是集MOSFET和GTR的优点的功率器件双极型功率器件:如晶闸管、GTR等通流能力很高:由于有少数载流子注入对漂移区电导率的调制,即便是高压器件,电流密度亦可达到200～300A/cm2开关速度较低,开关过程中功率消耗较大功率MOSFET:开关速度较高,开关过程中功率...
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点? 答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻, IGBT是电压驱动型器件,IGBT的
IGBT优点:驱动功率小,开关速度快,通态压降低。缺点:关断拖尾电流,关断损耗大。GTR优点:通流能力强,饱和压降低。缺点:开关速度慢,驱动电流大,易二次击穿。GTO优点:高电压大电流适用,门极可关断。缺点:驱动电路复杂,开关频率低,关断损耗大。电力MOSFET优点:开关频率高,驱动简单,热稳定性好。缺点:高压导通损耗大,通...
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿...
:IGBT综合了 MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压高、阻 断电压低、承受电流大的优点。根据您输入的内容,为您匹配到题目: **:IGBT综合了 MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压高、阻 断电压低、承受电流大的优点。** A. 正确 B. 错误 **答案**: B ...
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿...