与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。 1)硅IGBT: 硅IGBT的承受退保和短路的时间一般小于10μs,在设计硅IGBT的短路保护电路时,建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。 2)碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模块短路承受能力小于5μs,要求短路保护在3μs以内起作用。采用二极管或电阻串检测短路...