05IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 【影响因子】4.0 【分区】JCR2区中科院2区TOP 【ISSN】1549-7747 【年发文量】900篇左右 推荐理由：本刊涵盖了电路与系统领域的多个分支。审稿难度中等，期刊对创新性要求较高，但对文章的系统性和实验验证要求相对宽松，适合简短而创新的研究论文...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES由EI和SCI双检索，是一本在电子器件领域具有一定影响力的期刊。近年来影响因子虽有一定波动但相对稳定，且呈现继续扩刊的走向，这意味着该期刊能够容纳更多的研究成果，为科研人员提供了更多的发表机会。期刊信息 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES《IEEE电子设备汇刊》ISSN：0018...
①IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES的影响因子总体平稳,2023年最新影响因子为3.1。 ②IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES的自引率总体平稳,2023年度为16.1%。 ③IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES最近五年发文量分别为789,802,878,1129,1093。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文3436篇,占比20.5%...
期刊投稿网址https://mc.manuscriptcentral.com/ted 收稿范围 The IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, met...
02期刊指标 IEEE Transactions on Electron Devices在2021年之前都是小幅度增长,近两年又在小幅度下降,整体分值比较平稳,最新影响因子2.9分。 每年出版12期,发刊频率高,年发文量大。2023年共刊文1090篇,国人发文占比51.56%。近些年被国人“灌水”灌得满满的,对国人友好度相当可以。
中科院4区• Index：SCI&EI 双检• 无中科院预警记录• 征稿范围：有关能源系统的技术研究，如遥感数据和大数据分析、计算机模型、利用电网、压力和热能、交通工具等解决可再生能源问题• 录用案例：25天录用录用截图：期刊部投稿系统IEEE Transactions on Electron Devices• 影响因子：2.9• 期刊分区：JCR2...
Q3区:影响因子前50%~75%(含75%)的期刊。Q4区:影响因子75%之后的期刊。在国内JCR分区与中科院分区看哪个小编建议先阅本单位或所在高校的相关评价条件,明确是看重JCR分区还是中科院分区。然后,根据具体要求选择合适的期刊进行投稿。此外,作者还需要关注实时的期刊分区变化,以免选错分区。
影响因子(2023) 1.878IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, sem...
推荐理由:与IEEE Access同为综合性期刊,年发文量,国人友好,但更比IEEE Access更安全,且期刊还在扩刊期,性价比很高! 5IEEE Transactions on Electron Devices 【影响因子】2.9 【自引率】17.2% 【预警情况】无 【期刊分区】JCR2区,中科院2区 【年发文量】1000+ ...
期刊投稿网址 https://mc.manuscriptcentral.com/ted 收稿范围 The IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators,...