IEC 60747-8:2021 购买 正式版 IEC 60747的这一部分给出了以下类别场效应晶体管的标准: – A型:结栅型; – B型:绝缘栅耗尽(常开)型; – C型:绝缘栅增强(常闭)型。由于场效应晶体管可能有一个或多个栅极,因此分类结果如下: 注 1:肖特基势垒栅和绝缘栅器件包括耗尽型器件和增强型器件。注 2:某些应用的 MOSFET
IEC 60747的这一部分给出了以下类别场效应晶体管的标准: - A型:结栅型; ——B型:绝缘栅耗尽型; - C型:绝缘栅增强型。 购买 正式版 STAS SR CEI 747-8-1993半导体装置.分离装置.第8部分:场效应晶体管KS C IEC 60747-8:2002半导体器件.第8部分:场效应晶体管BS IEC 60747-8:2010半导体装置.分立器件.场...
Published By: International Electrotechnical Commission (IEC) Page Count: 160 Description: IEC 60747-8, Revision 3.1, June 2021 - Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors This part of IEC 60747 gives standards for the following categories of field-effect transisto...
IEC 60747-8-2-1993 中文名称:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范 英文名称:Semicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier...
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IEC / EN / DIN EN 60747- 5-2 赞同 标准 8引脚DIP ( 300密耳) HCPL-4506 V IORM = 630 V峰值 (选件060 ) 白色霉 8引脚DIP ( 300密耳) HCPL-J456 V IORM = 891 V峰值 小尺寸 SO8 HCPL-0466 V IORM = 560 V峰值 (选件060 ) 宽体 ( 400 MIL ) HCNW4506 V IORM = 1414 V峰值 密封*...
Published By: International Electrotechnical Commission (IEC) Page Count: 160 Description: IEC 60747-8, Revision 3.1, June 2021 - Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors This part of IEC 60747 gives standards for the following categories of field-effect transisto...
IEC 60747的这一部分给出了以下类别场效应晶体管的标准: – A型:结栅型; – B型:绝缘栅耗尽(常开)型; – C型:绝缘栅增强(常闭)型。由于场效应晶体管可能有一个或多个栅极,因此分类结果如下: 注 1:肖特基势垒栅和绝缘栅器件包括耗尽型器件和增强型器件。注 2:
IEC 60747-8-2010 中文名称:半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管 英文名称:Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors 中国标准分类(CCS):L44 国际标准分类(ICS):31.080.30 发布日期:2010-12 实施日期:2010-12...
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管, Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors, 提供IEC 60747-8:2021的发布时间、引用、替代关系、发布机构、适用范围等信息,也提供PDF预览(如果有PDF)