Description: IEC 60747-8, Revision 3.1, June 2021 - Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors This part of IEC 60747 gives standards for the following categories of field-effect transistors: –type A: junction-gate type; –type B: insulated-gate depletion (n...
IEC60747-8IECહ01年6月版3.1版合并版国际标准colourinside半导体器件离散器件-第8部分:场效应晶体管啊CopyontintemationsElectrotechnicalCommission
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 适用范围 IEC 60747的这一部分给出了以下类别场效应晶体管的标准: - A型:结栅型; ——B型:绝缘栅耗尽型; - C型:绝缘栅增强型。 购买 正式版 STAS SR CEI 747-8-1993半导体装置.分离装置.第8部分:场效应晶体管KS C IEC 60747-8:2002半导体器件.第8部分:场效应晶体管BS ...
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 适用范围 IEC 60747的这一部分给出了以下类别场效应晶体管的标准: – A型:结栅型; – B型:绝缘栅耗尽(常开)型; – C型:绝缘栅增强(常闭)型。由于场效应晶体管可能有一个或多个栅极,因此分类结果如下: 注 1:肖特基势垒栅和绝缘栅器件包括耗尽型器件和增强型器件。注 2:某...
IEC 60747-8, Revision 3.1, June 2021 - Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors This part of IEC 60747 gives standards for the following categories of field-effect transistors: –type A: junction-gate type; ...
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 购买 正式版 IEC 60747的这一部分给出了以下类别场效应晶体管的标准: – A型:结栅型; – B型:绝缘栅耗尽(常开)型; – C型:绝缘栅增强(常闭)型。由于场效应晶体管可能有一个或多个栅极,因此分类结果如下: 注 1:肖特基势垒栅和绝缘栅器件包括耗尽型器件和增强型器件。注 ...
内容提示: IEC 60747-8 Edition 3.1 2021-06 CONSOLIDATED VERSION INTERNATIONAL STANDARD Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors IEC 60747-8:2010-12+AMD1:2021-06 CSV(en) ® colourinsideCopyright International Electrotechnical Commission --`,,`,```,,``,```,...
BRITISH STANDARDBS IEC 60747-8-4:2004Discrete semiconductor devices —Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications)ICS 31.080.3012 &23<,1* :,7+287 %6, 3(50,66,21 (;&(37 $6 3(50,77(' %< &23<5,*+7 /$:Licensed Copy: Lon...
IEC 60747-2是针对整流二极管 IEC 60747-3是针对小信号二极管 IEC 60747-4是针对微波二极管和微波晶体管 IEC 60747-5是针对光耦 IEC 60747-6是针对晶闸管 IEC 60747-7是针对双极型晶体管(BJT) IEC 60747-8是针对场效应管(MOSFETs) 点赞(0)踩踩(0)反馈 ...
(以下简称"晶体管")的术语,符号,基本额定值和特性,检验要求,测量与试验方法;\n主要技术内容:本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:... 许恒宇,李金元,刘奥,... - 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 被引量: 0发表: 2020年 二极管反向静态﹑反向恢复参数测试装置的研制 (2)﹑...