ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高压半桥栅极驱动浮动工作电压可达600V，10-20V 宽范围工作电压范围，输入兼容 3.3V、5V 逻辑工作电平，拉灌电流典型值210mA/360mA，具有防直通保护及欠压保护功能，可兼容代换IR2104，典型应用于高压风机和泵、步进马达等领域，更多国产替料ID7U603规格书、电路图等资料请向骊...
IR2104国产替代芯片ID7U603SEC-R1可用于驱动2个N型功率MOSFET和IGBT构成的半桥拓扑结构,ID7U603SEC-R1是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管,因此采用半桥驱动芯片时,需要两块该芯片才能控制一个完整的H桥。 步进马达
ID7U603SEC-R1是一款国产替代芯片，专门用于IR2104，具备高压、高速性能，适用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。其特点如下：浮动工作电压可达600V，具有210mA/360mA的典型拉灌电流值，兼容3.3V/5V输入逻辑电平，抗dV/dt干扰能力为±50 ...
型号: ID7U603SEC-R1 封装: SOP-8 批号: 22+ 数量: 16000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 2.7mm 宽度: 9.1mm 高度: 2.2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
--- 产品参数 --- 品牌 芯朋微 型号 ID7U603SEC-R1 封装 SOP8 电压 600 V 电流 210 mA/360 mA --- 产品详情 --- 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104,提供ID7U603SEC-R1关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>...
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。 ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点 ■ 浮动工作电压可达600V ...
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。 ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点 ■ 浮动工作电压可达600V ...
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。 ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点 ■ 浮动工作电压可达600V ...