芯朋微电子ID7S625 600V高压半桥驱动芯片 一、概述 ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动一个N 沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3V。具...
型号:ID7S625SBC-R1 封装:SOW16 功率:600V 电流:2.5A 订购热线:0755-23087599 ID7S625高压逆变器驱动芯片其浮地通道能工作在60OV的高压下,可用于驱动一个N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器。具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LS...
型号 ID7S625 ID7S625 600V 开关电源大电流驱动芯片可代换IR2110 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页...
ID7S625芯片具有独立的高低侧输出通道，其浮地通道能在高压环境下正常工作，适用于驱动N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构，特别适合硬开关逆变器驱动器及DCDC变换器。与ID7S625相比，IR2110芯片的驱动方式采用外部自举电容上电，这种设计优势在于体积小、启动速度快，有效减少驱动电源路数目，降低成本，提升系...
ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作电压范围10V~20V ■ 输入逻辑兼容3.3V/5V/15V ■ 输出电流能力2.5A ■ 高侧浮动偏移电压600V ■ 自举工作的浮地通道 ■ 所有通道均有延时匹配功能 ■ 所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)ID7S625具有独立的高低侧输出通道，其浮地通道能工作在60OV的高压下，可用于驱动...
KP85321是一款中高压半桥 / 高低边驱动芯片系列,以高可靠性、低温漂、大驱动电流为主要特性,输出开关节点 dv/dt 可达 100V/nS。高低侧通道相互独立,允许同时导通。 关于 中高压半桥 / 高低边驱动芯片: 中高压半桥/高低边驱动芯片是一种特殊类型的电源管理芯片,用于控制电机驱动器和其他高电压负载。它们通常能够提...
ID7S625 600V 开关电源大电流驱动芯片可代换IR2110 价格 ￥0.26 起订量 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验1人想买 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;集成电路(IC);接口/驱动器 产品标签 ID7S625;安趋/芯朋微;SOW16 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市骊微电子科技有限公司 4年 ...
ID7S625用于电机驱动高压电荷泵芯片替换IR2110 --- 产品详情 --- 骊微电子是芯朋微一级代理商,提供ID7S625用于电机驱动高压电荷泵芯片,可兼容替换IR2110,更多驱动产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
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