一、首先进行ID-VDS曲线的仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“W”和“L”。 然后对vds进行扫描,观察id的变化,具体操作如下图 2、然后设置仿真环境。 3、仿真结果: 二、ID_VGS曲线仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“...
曲线外推法 取晶体管处于饱和区时较大的VDS值,如15V, 使晶体管处于饱和区,做Sqrt(ID)-VGS的曲线,反向延长该曲线,其与X轴的交点即为阈值电压。 迁移率的提取方法:根据线性区源漏电流的表达式,取VDS为较小的值,如0.1V时,做ID-(VGS-Vth)的曲线,求该曲线的斜率,即可求出迁移率μn的值。 线性区公式 二、...
以VDS作为参数画出NMOS晶体管的ID~VGS曲线。要求:(1)画三条曲线,VDS的值分别为VDS1、VDS2、VDS3,其中VDS1
SMK0860P电气特性曲线图。 1 ID- VDSVGS7.0V6.5V6.0V5.5V5.0V4,SMK0860P PDF技术资料1第3页,SMK0860PPDF资料信息,采购SMK0860P,就上51电子网。
STK0260D电气特性曲线图。 1 ID- VDS图。 2我D- VGS:-图。 3 RDS ( ,STK0260D PDF技术资料1第4页,STK0260DPDF资料信息,采购STK0260D,就上51电子网。
场效应管的转移特性曲线是指iD与vGS之间的函数关系特性曲线。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
题目场效应晶体管的输出特性曲线是指在VGS一定的条件下,___和___之间的关系。可分成四个区域,即___区、___区、___区和夹断区。相关知识点: 试题来源: 解析 u DS i D 恒流 可变电阻 击穿 反馈 收藏
A.在输出特性曲线中,直线 EF 是交流负载线, Q 点为: VGSQ = 1.0V , VDSQ = 11V , IDQ = 0.1mA 。B.在输出特性曲线中,直线 EF 是直流负载线, Q 点为: VGSQ = 1.0V , VDSQ = 11V , IDQ = 0.1mA 。C.在输出特性曲线中,直线 EF 是交流负载线, Q 点为: VGSQ = 2.0V , VDSQ = 7....
用途 栅极电荷Vgs vs.t曲线测试 型号 DPT1000A 采样率 6.25 Gsa/s 采样精度 12 ppb + 75 ppb/年 时延校准精度 200 ps(典型值) 最大电压 2000V 最大电流 200A 批号 22+ 封装 独立包装 品牌 泰克Tektronix 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
MOSFET转移特性曲线如图,iD参考方向流进漏极,【图片】,当vGS=1V时,iD=-mA。(小数点后保留1位有效数字)【图片】的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习