在由n型半导体组成的MIS结构上加栅电压VG,分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况,画出其C-V曲线并解释之。 相关知识点: 试题来源: 解析 (1)当偏压VG为正值时,半导体表面处于堆积状态,C/C0=1,即C=C0。这时MIS的电容不随电压VG变化,对应图AB段; (2)当偏压VG绝对值较小时,C/C0值随着|Vs|减小而减小...