Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 210 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 280 W 通道模式: Enhancement 封装: Tube 配置...
Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 1 A Rds On-漏源导通电阻: 540 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 8.3 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 1.3 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Tube 高度...
Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, - 16 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V Qg-栅极电荷: 25 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 34.7 W 配置: Single 商标名: TrenchFET, Power...
Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 2.6 A Rds On-漏源导通电阻: 1.38 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV Qg-栅极电荷: 5 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 19 W 通道模式: Enhancement 商标名: TrenchFET, PowerPAK ...
Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 3.7 A Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 6 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.4 W 通道模式: Enhancement 商标名: TrenchFET...
SI7922DN-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻 价格 ¥14.6494元 ¥10.1395元 起订量 100个起批 1000个起批 服务 主体资质核查 真实性核验 发货地 广东省 深圳市 数量 立即询价 查看电话 在线沟通 QQ联系 ...
Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 96 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 136 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 资格: AEC-Q101 ...
Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V Qg-栅极电荷: 117 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 211 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Tube 晶...
IRF840APBF连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850 mΩ 价格 ¥4.7493元 ¥3.2995元 起订量 100个起批 1000个起批 服务 主体资质核查 真实性核验 发货地 广东省 深圳市 数量 立即询价 查看电话 在线沟通 QQ联系 ...
Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 8 A Rds On-漏源导通电阻: 19.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 46 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 4.2 W 通道模式: Enhancement 商标名: TrenchFET 封装: Cut Ta...