ICP-RIE全称是电感耦合等离子体刻蚀机,是半导体芯片微纳加工过程中必不可少的设备,可加工微米级纳米级的微型图案。 ICP-RIE机台的原理是什么样的? 上图是一个典型的ICP-RIE设备的原理图,其中: ICP Generator(感应耦合等离子体发生器):产生射频能量以激发气体并产生等离子体。 CCP Generator(电容耦合等离子体发生器...
RIE: 单一的射频源，无法实现适当刻蚀速率下的低损伤刻蚀，工作气压高，不利于控制刻蚀形貌，等离子体密度低，无法获得高刻蚀速率。ICP：两个独立的射频源，可以实现高速率和低损伤刻蚀，工作气压低，利于控制形貌，等离子体密度高。
ICP是用线圈状的微波源盘绕在石英窗口上。ICP激发的离子浓度比RIE高,因此在同样的腐蚀速度下,单个离子的能量可以较低,这样刻蚀过程中对样品表面的物理伤害较小,可以得到很平整的表面。而RIE刻蚀过程中表面一般不会很平整,需要用湿法再处理一下。 ICP的设备我没有看见过,但在APOC上看见过罗毅老师演示的一张ICP刻蚀...
行业资料 > 工业设计 > ICP与RIE相比有什么优点?结构有什么区别呢 打印 转格式 3475阅读文档大小:24.5K1页kong2009qi上传于2012-09-28格式:DOC