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高密度等离子体ICP-180刻蚀总结 Date31-May-13 Run4 Full4inch▓ BareSiO2 BarePatternPatternSiNxSiO2▓Si O2 C4F8Pressure41 RF(W)50 ICP(W)2000 Temp(℃)20 Time(min)1.5 He(Torr)10 HeFlow(sccm)4.6 (sccm)(sccm)(mTorr)31-May-13 5 ▓ ▓ 4 1 50 2000 20 10 10 5 ...
高密度等离子体ICP-180刻蚀总结Date 31-May-13 Run 4 Full 4 inch ▓ Bare SiO2 Bare Pattern Pattern SiNx SiO2 ▓ Si O2 C4F8 Pressure 4 1 RF (W) 50 ICP (W) 2000 Temp (℃) 20 Time (min) 1.5 He (Torr) 10 He Flow (sccm) 4.6 (sccm) (sccm) (mTorr) 31-May-13 5 ▓ ▓ 4 1...
高密度等离子体刻蚀系统(ICP 180) ICP-98C 中国科学院微电子研究所 技术参数: ICP 离子源:0-3000W; RF 射频源:0-600W;样品尺寸:四英寸向下兼容;基底刻蚀温度:0-200℃可调;可刻蚀材料包括:GaN,GaAs,InP,蓝宝石等 功能特色: 该仪器作为一种新型的干法刻蚀手段,结合了RIE(反应离子刻蚀)和IBE(离子束刻蚀)的...
ICP-MS在开机后真空上不去,真空显示为ERROR,检查了分子泵和真空泵都没有问题的,不知道是什么原因? 1.显示是error,那一定应该是控制和通讯的问题吧。 2. 检查一下循环水是否打开, 流量和水压是否正确, 一般的分子泵都带有水流连锁保护功能, 我们的仪器如果不开水循环, 真空就不能抽上去,因为分子泵不启动。 3...
1. 高精度的ICP-MS可以测P的浓度在0.5ppb是没有什么问题的。普通的ICP-MS测不了。如果水中磷的浓度很高,你可以考虑用AAS。ICP-MS不是万能的。 2. P受到NOH干扰,水中干扰本来就比较高,如果采用高级技术,可以改善,比如加氧气的碰撞反应池,或者使用膜去溶,效果会好些。
高密度等离子体ICP-180刻蚀总结.doc 上传人:小辰GG1 2022/1/28 文件大小:1012 KB 下载得到文件列表 高密度等离子体ICP-180刻蚀总结.doc 相关文档 文档介绍 文档介绍:Date Run Full Bare Bare Pattern Pattern 02 C4F8 Pressure RF ICP Temp Time He He Flow4 inch SiO2 SiNx SiO2 Si (seem) (s84%33...
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