VPD-ICP-MS测试是一种基于化学分解和质谱分析的技术,主要用于晶圆表面金属元素分析。该技术的原理是将硅片置于VPD室中,并暴露于HF蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的SiO2表面层。然后将提取液滴(通常为250 μL的2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,...
谱育自主研发的EXPEC 7350S型三重四极杆ICP-MS搭配组合的自动化分析方案，晶圆表面金属离子检出能力可以达到5E6~5E7atoms/cm2，可以有效替代国内FAB现有的进口分析方案。目前在国内领先的12寸硅片制造企业和化合物半导体制造企业实现了VPD与7350S组合方案，自动化监测晶圆表面金属离子沾污，满足8~12寸硅片制造企业和化合...
关于VPD金属污染,英格尔检测将进行专业的技术分析。首先硅晶圆表面污染技术VPD-ICP-MS,英格尔通过多种化学溶液进行贵金属元素与晶圆常规元素,进行无映射功能。英格尔VPD硅片晶圆表面污染技术可帮助企业进行元素提高了解下限,通过专业手段检测分析元素的最低浓度,同时将金属污染控制到关键的低浓度水平,为企业提供一站式vpd硅...
英格尔专家表示,英格尔检测VPD 系统通常具备机器手臂来处理样品,避免人为处理样品过程中可能的污染导入,其机台内部洁净度通常为 Class1 环境,虽然可有效降低测定的背景值和侦测极限,但也因此使得机台建置成本偏高。手动的滚珠法虽然较容易有额外污染的导入,但因简单、便宜、快速且弹性较高,较广被实验室采用。 不论是...
三、VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” ...
VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” ...
谱育自主研发的EXPEC 7350S型三重四极杆ICP-MS搭配组合的自动化分析方案,晶圆表面金属离子检出能力可以达到5E6~5E7atoms/cm2,可以有效替代国内FAB现有的进口分析方案。目前在国内领先的12寸硅片制造企业和化合物半导体制造企业实现了VPD与7350S组合方案,自动化监测晶圆表面金属离子沾污,满足8~12寸硅片制造企业和化合物...
谱育自主研发的EXPEC 7350S型三重四极杆ICP-MS搭配组合的自动化分析方案,晶圆表面金属离子检出能力可以达到5E6~5E7atoms/cm2,可以有效替代国内FAB现有的进口分析方案。目前在国内领先的12寸硅片制造企业和化合物半导体制造企业实现了VPD与7350S组合方案,自动化监测晶圆表面金属离子沾污,满足8~12寸硅片制造企业和化合物...
步骤一：将硅片置于VPD室中，通过HF蒸气溶解表面的自然氧化物或热氧化的SiO2。步骤二：将提取液滴置于晶圆上，并以控制方式倾斜，液滴在晶圆表面上移动并收集溶解态SiO2与所有污染物金属。步骤三：将提取液滴从晶圆表面转移到ICPMS系统中进行分析。注意事项：在整个过程中，必须严格避免实验室二次污染，并...
VPDICPMS系统是一款高效、稳定的数据管理系统,提供全面的数据集成、处理、分析和展示功能。该系统拥有强大的数据处理能力,支持海量数据的快速处理和管理。同时 ,理想股票技术论坛