光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一,其作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步工序做好准备.光刻工艺的基本要求是具有高的分辨率和低的缺陷密度.随着硅片尺寸越来越大,线宽越来越小,早期工艺中不是很关心的硅片边缘问题,变得越来越严重.因为随着硅片尺寸的增大,硅片的周长成倍的增加,而线宽的变小...