I-V曲线测量涵盖四个IBIS关键字——[Pullup]表示驱动高电平时上拉元件的I-V行为,[Pulldown]表示驱动低电平时下拉元件的I-V行为,而[Power Clamp]和[GND Clamp]表示高阻抗状态下ESD保护二极管的I-V行为。 要测量I-V特性,请将器件安装在专用板上,并将电源和接地引脚连接到...
[GND_Clamp]和[Power_Clamp]通过以表格形式列出的I-V数据显示数字缓冲器的静电放电(ESD)器件的行为。[Power_Clamp]表示以VDD为基准的ESD器件的整体行为,接地箝位表示以GND为基准的ESD器件的整体行为。 在LTspice中,I-V数据可以使用.DC SPICE命令/指令进行测量。DOUT1的接地箝位用图4所示设置进行测量。在该设置...
在保存下拉数据时,请注意它构成了[GND_Clamp]和[下拉]的总电流。图12可以更好地说明这一点。要移除[GND_Clamp]组件,只需从[下拉]保存数据中逐点减去它。为了简化这一操作,[GND_Clamp]和[下拉]直流分析的电压增量、开始电压和结束电压必须相同。 图12.来自下拉保存数据的实际电流 获取上拉数据的设置如图13所示。
[GND_Clamp]和[Power_Clamp]通过以表格形式列出的I-V数据显示数字缓冲器的静电放电(ESD)器件的行为。[Power_Clamp]表示以VDD为基准的ESD器件的整体行为,接地箝位表示以GND为基准的ESD器件的整体行为。 在LTspice中,I-V数据可以使用.DC SPICE命令/指令进行测量。DOUT1的接地箝位用图4所示设置进行测量。在该设置...
►[GND Clamp]表示数字I/O引脚的地箝位ESD保护二极管在高阻抗状态期间的V-I行为,其相对于地箝位基准电压。 ►[Pullup]表示I/O缓冲器的上拉元件驱动高电平时的V-I行为,其相对于上拉基准电压。 ►[Pulldown]表示I/O缓冲器的下拉元件驱动低电平时的V-I行为,其相对于下拉基准电压。
I-V曲线测量涵盖四个IBIS关键字——[Pullup]表示驱动高电平时上拉元件的I-V行为,[Pulldown]表示驱动低电平时下拉元件的I-V行为,而[Power Clamp]和[GND Clamp]表示高阻抗状态下ESD保护二极管的I-V行为。 要测量I-V特性,请将器件安装在专用板上,并将电源和接地引脚连接到电源。准备温度强制系统,调整到所需温...
[GND Clamp]表示数字I/O引脚的地箝位ESD保护二极管在高阻抗状态期间的V-I行为,其相对于地箝位基准电压。 [Pullup]表示I/O缓冲器的上拉元件驱动高电平时的V-I行为,其相对于上拉基准电压。 [Pulldown]表示I/O缓冲器的下拉元件驱动低电平时的V-I行为,其相对于下拉基准电压。
[GND Clamp]表示数字I/O引脚的地箝位ESD保护二极管在高阻抗状态期间的V-I行为,其相对于地箝位基准电压。 [Pullup]表示I/O缓冲器的上拉元件驱动高电平时的V-I行为,其相对于上拉基准电压。 [Pulldown]表示I/O缓冲器的下拉元件驱动低电平时的V-I行为,其相对于下拉基准电压。 这些关键词的数据是在-VDD至2×...
[GND Clamp]表示数字I/O引脚的地箝位ESD保护二极管在高阻抗状态期间的V-I行为,其相对于地箝位基准电压。 [Pullup]表示I/O缓冲器的上拉元件驱动高电平时的V-I行为,其相对于上拉基准电压。 [Pulldown]表示I/O缓冲器的下拉元件驱动低电平时的V-I行为,其相对于下拉基准电压。
I-V曲线测量涵盖四个IBIS关键字——[Pullup]表示驱动高电平时上拉元件的I-V行为,[Pulldown]表示驱动低电平时下拉元件的I-V行为,而[Power Clamp]和[GND Clamp]表示高阻抗状态下ESD保护二极管的I-V行为。 要测量I-V特性,请将器件安装在专用板上,并将电源和接地引脚连接到电源。准备温度强制系统,调整到所需温...