洁净度:PZT 成膜等级 100 (其他等级 1000) 分类加工设备装置 成膜压电薄膜 (PZT)射频磁控溅镀,溶胶凝胶 金属氧化物 (SrO)射频磁控溅镀 金属氧化物 (ZrO2)蒸镀 金属膜 (Au, Pt, Ti, Cr (请咨询))直流磁控溅镀 TEOS-二氧化矽 (SiO2)等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) ...
SRO压电薄膜很少出现晶体缺陷,即使在次微米(1微米以下)的厚度下也能做到可靠的表现。 这些特性不仅能应用于众所周知的压电材料PZT,也适用于BTO及其他不同的物料之上。 矽(Si)基板的标准晶向是(100),其他晶向具有以下特征。 当Si基板的晶向转换成<(110)或(111)>时,也能够延续上层薄膜以配合材料作最适切的组合。
PZTA QUECTEL RDA REALTEK/瑞昱 RENESAS(瑞萨)/IDT ROCKCHIP RT RUNIC(润石) Rubycon/日本红宝石 SANYO SCTF SHC-SEMI SHINDENGEN SILERGY SILICONLABS(芯科) SIM SIMCOM SIP SMSC SS SST STC/宏晶 STC代理商 SUNLORD/顺络 SY Samsung Sunlord(顺络) TAITIEN(泰艺电子) TECH PUBLIC(台舟) TI/BB TJ TLE TOREX...
Unique Features of KRYSTAL®Wafer's PZT Single-Crystal KRYSTAL®Wafer's single-crystal piezoelectric thin films shows superior electrical and mechanical characteristics compared to common poly-crystal piezoelectric thin films. The most notable features of KRYSTAL®Wafer PZT thin film: Single crystal ...
? 单晶PZT在压电特性方面与晶PZT有相似的性能,不过单晶PZT的介电常数却比多晶PZT低一半,能有效降低执行器应用的功耗同时,也能提高感测器应用的信噪比(S/N)。 另外,单晶PZT晶体畴壁很少在共振时能降低损耗,增加于光学应用中的传输速率。 单晶PZT的晶体非常稳定,上其不受环境温度影响的显著特性,在电压变化时...
多層單晶PZT (2層PZT) [開發中] 我們也運用優異的沉積技術,開發多層單晶 PZT 晶圓。改善壓電特性,實現高功率和高精度致動器驅動。 正在開發 6 吋晶圓。詳情請與我們聯繫。聯繫我們 1 層和 2 層 PZT 的壓電特性 2層 PZT 應用範例 (MEMS Mirror)
KRYSTAL®Wafer的 PZT 执行器具有高位移和低介电常数,可减少在运作过程中释放的热量及降低热负荷,大幅提升打印头的密度。 用途 E.g.: 喷墨打印头 [MEMS] RF滤波器 射频(RF)滤波器用于通信终端,频段为800~2500 MHz。 常见的射频滤波器类型是SAW,BAW和TC-SAW。 压电薄膜都应适用于滤波器当中。
MEMS, PZT film can be used in diaphragm-type micro-pumps. Being compact and light, these pumps are ideal for the continuous transport of minute volumes of liquids.ApplicationsMicro-pumps [MEMS] FlowSensors Amongvarious types offlowmeters, the Karman vortex flowmeter detects “Karman vortex...
Ti, Cr (請諮詢)) 電感耦合等離子體蝕刻 (ICP-RIE) 乾式蝕刻 (PZT) 電感耦合體蝕刻 (ICP-RIE) 乾式蝕刻 (SiO2) 電感耦合體蝕刻 (ICP-RIE) 深度蝕刻 (Si) 深反應離子(Deep-RIE) (從上到下的穿透加工) 蝕刻 (PZT, Au, Ti)旋轉蝕刻 (可浸漬) 暫時鍵合 黏接鍵合 熱加壓 評估 - 光學...
,我们的技术是通过改变缓冲层本身的上下膜来控制方向,这样就可以确保广泛的加工,从而实现各种材料单晶化的可能。 返回页首 多层单晶PZT 2层PZT) [中] 此外,我们还在应用卓越的技术开发多层单晶 PZT 硅片。改善了压电特性,实现了高和高精度致动器驱动。 正在开发 6 英寸晶片。请联系我们。 联系我们 ...