I-III-VI族半导体纳米晶是一种新型材料,由三种元素组成,分别是一价金属离子(I)、三价金属离子(III)和六价非金属离子(VI)。这种材料具有很多优异的性质,如在近红外区发光、吸光系数大、荧光寿命长等,因此在生物医学、光电子学等领域有...
窄谱带I-III-VI族半导体纳米晶由I族(如Cu、Ag)、III族(如Al、Ga、In、Ti)和VI族(如S、Se、Te)元素组成,具有非化学计量特性。这种材料可以通过前驱体的组分调控来改变其光学性质,实现宽的可调谐光谱以及其他光学性能的调控...
北京交通大学唐爱伟教授课题组在I-III-VI族纳米晶的可控合成及电致发光器件应用方面深耕多年,取得了一系列研究成果。首先,采用胶体化学方法通过简单的组分调控,成功制备出一系列不同发光颜色的I-III-VI族纳米晶。另外,由于多缺陷态发光的特性,I-III-VI族纳米晶发光光谱通常较宽,不利于其在显示方面的应用。针对这一...
用于新一代LED的相对成熟的量子点系统,如II−VI(如CdSe、PbS)、III−V(如InP)和钙钛矿量子点,已经解决了效率和寿命的瓶颈。I−III−VI量子点及其衍生物在太阳能电池、光催化、生物成像和LED等未来高质量电子器件的候选者中表现出良好的前景。 本文首先概述了精确的结构设计和发光机理,然后概括了合成的关键...
I-III-VI2 PHOTOVOLTAIC ABSORBER LAYERSThe invention provides a film having a composition AgCuInGaKSeQ; wherein K is Al or Tl or a combination of these; Q is S or Te or a combination of these; w is in a range from 0.01 to 0.75; x is in a range from 0.1 to 0.8; and r, y ...
三元I-III-VI半导体量子点CuAlS2 CuInS2三元I-III-VI半导体量子点 二元II-VI半导体量子点ZnSe CdSe二元II-VI半导体量子点 CsPbBr3钙钛矿量子点 Cs2AgBiBr6双钙钛矿量子点 CH3NH3PbBr3无机钙钛矿量子点 SiC碳化硅量子点 巯基修饰的SiC碳化硅量子点 氨基功能化SiC碳化硅量子点 羧基修饰SiC碳化硅量子点 NHS修饰SiC碳化硅...
光伏电池中I-III-VI2层和背接触层之间的改良界面本发明涉及一种制造具有光伏特性的I-III-VI斯蒂芬妮・安格尔卢多维克・帕里西
I II III IV V VI 是罗马数字。罗马数字1-9：1-Ⅰ、2-Ⅱ、3-Ⅲ、4-Ⅳ、5-Ⅴ、6-Ⅵ、7-Ⅶ、8-Ⅷ、9-Ⅸ。罗马数字10-20：10-Ⅹ、11-Ⅺ、12-Ⅻ、13-XIII、14-XIV、15-XV、16-XVI、17-XVII、18-XVIII、19-XIX、20-XX。罗马数字的特点：1、相同的数字连写、所表示的数等于这些...
创新点:吉林大学物理学院超硬材料国家重点实验室肖冠军教授及其合作者,通过引入压力维度,系统研究了I-III-VI2三元族化合物AgInS2基核壳纳米晶本征发光和缺陷发光相对变化,解决了AgInS2纳米晶的缺陷发光起源问题的争议,确定其缺陷发光源于施主受主对(DAP)复合发光。