已知信源X和条件概率P(Y/X)如下: 试计算:H(X)、H(Y)、H(XY)、H(X/Y)、H(Y/X)、I(X;Y) 答案 解:依照题意,(1)由p(xiyj)=p(xi)p(yj/xi),求出各联合概率:p(x1y1)=p(x1)p(y1|x1)=1/2×3/4=p(x1y2)=p(x1)p(y2|x1)=1/2×1/4=p(x2y1)=p(x2)p(y1|x2)=...
H(Y|X)= ∑i=12∑j=12p(xiyj)LOG2P(yj|xi) =-2× 比特/符号结果一 题目 已知信源X和条件概率P(Y/X)如下:试计算:H(X)、H(Y)、H(XY)、H(X/Y)、H(Y/X)、I(X;Y) 答案 解:根据题意,(1)由p(xiyj)=p(xi)p(yj/xi),求出各联合概率:p(x1y1)=p(x1)p(y1|x1)=1/2×3...
KwhH4h9Ei1S9fE4xwXjz4du0MVnbR5Q1ud7Qq15G0rlj5SZcu4U71rnY3pJ6ZUPdhx8ZtvR9IDRaBSBJn+RLnV1JJSFDKxqu+X9KCGRlyRmzUpWDBOg1GMlUwcHXK6PAB7xnxgyIKYLAmuNNmmeyvOujOjAeBBIienP0d9xwwkIVBu6KxGUjzmmQuq7ZtfaDFxeM4D7YwssAE3x6z9fD39ngmSj0EjB0zKEazN3Hzu7lEj1/7OkMYdANuDQrgO8rRnO0pA2L3swQ0...
因此两个端面可用于构造GeC和VXY的vdWH(X=Cl, Br; Y=Se, Te)单层,这里构造了两种不同的模型,Cl(Br)和Se(Te)在VXY(X=Cl, Br; Y=Se, Te)单层的相反表面位置交替,使GeC-VXY(X = Cl,Br;Se,Te)vdWH为每个模型都有六种可能的原子堆叠配置。
色度(x,y) +/– 0.0002;ΔE 0.02 测量时间 少于30秒 基线校准 一键自动校准 光源 5V,10 W 卤钨灯 CIE照明 A, B, C, D65 视角 2°, 10° 光程 0.1 – 153 mm(0.004” – 6”) 数据接口 USB, LAN, RS232 数据存储 100,000个测量数据 输入电压 90 – 240 Vac,由外部电源提供 屏幕显示 240 ...
、已知随即变量X和Y的联合分布如下所示:11/83/813/81/8试计算:H(X)、H(Y)、H(XY)、H(X/Y)、H(Y/X)、I(X;Y)解:(1)(2)(3)
、已知随即变量X和Y的联合分布如下所示:试计算:H(X)、H(Y)、H(XY)、H(X/Y)、H(Y/X)、I(X;Y) 相关知识点: 试题来源: 解析 解: (1) (2) (3) H(X/Y)= H(XY)-- H(Y)=1.811-1=0.811 (4) H(Y/X)= H(XY)-- H(X)=1.811-1=0.811 (5)...
为了得到能带结构的清晰图像并明确VBM和CBM不同位置导致的I型能带对齐和II型能带的影响,计算了GeC-VXY(X=Cl, Br; Y=Se, Te)vdWH的加权能带结构,如图4示。可看出,在GeC-VClSe(GeC-VBrSe)vdWH中,Γ点的VBM主要是由于GeC层的C−pz原子贡献,而M点的CBM主要来自VClSe(VBrSe)层V−dz2电子态,证实了这...
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