I-V 特性由在中性区域的少数载流子电流来决定。为了计算它们,用n区中空穴的连续方程式,按照式(2-84)得出: 这里是假设稳态情况,用少数载流子寿命和额外空穴浓度来表示额外复合率 R_p。因为假设空穴浓度p小于n, 此外,在中性区的电场是小的, 因此,将式(3-41) 代入式(3-40), 得出 用边界条件 p(x_n)=p_...
这个I/V特性函数成了一个一次函数 成了一个电阻的倒数,这个电阻一般叫做Ron. 实际电路设计中μn和Cox是已知的,所以,实际上,这个电阻可以手算出来。你看,你就是个手算电路参数的大神啦! 致力于让你理解电路设计,希望中国的IC早日国产化。 希望大家喜欢并关注这个专栏。
I-V特性,欧姆接触是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欧姆接触在中金属处理应用广泛,实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。,小信号电容是信号最大峰值在10V以内但交流幅值只有几个mV,频...
西安理工大学电子工程系刘静 2014-02-25 1 第一章 PN结 1.3 直流特性(I-V特性) 流过二极管的电流是外加直流电压的函数,即器件 的I-V特性。本节将在二极管电流和器件内部工作机 理,器件参数之间建立起定性和定量的关系。 1. 理想二极管的电流电压方程的求解 2. 理想二极管(长二极管和短二极管的区别)及 其电...
MOS管的I/V特性如前面所说,我们研究I/V特性不是为了推导而推导,只是为了让我们更加清楚地了解MOS管的工作状态,在后续的表达中可以更加简洁精炼,因此我们本部分重点讨论MOS管的工作状态(主要讨论NMOS管,PMOS其实很多时候就是多一个负号,大家可以自行分析下),以及如何判断工作状态,附带地根据数学公式绘制出各个状态下...
根据光电二极管的 I-V 特性,可分为太阳能电池模式、光电二极管模式、雪崩模式、盖革模式等几种工作状态,下图是光电二极管分别在明暗条件下的 I-V 曲线。盖革模式下的光电二极管的增益理论上是无穷的,所以经常被用来进行单光子探测,也称作单光子雪崩二极管(SPAD)。
一、二极管I/V特性 晶体二极管也称为半导体二极管,简称二极管(Diode)。内部由一块P型半导体和N型半导体经特殊工艺加工,在其接触面上形成一个PN结。外部有两个电极,分别称为正极(P型区一侧)和负极(N型区一侧),使用时不能将正负极接反。 因此,二极管具有单向导电性,可用于整流、检波、稳压等电路中。用来产生、控...
PV模块的I-V特性曲线是通过给PV模块施加从短路到开路的一系列阻抗、并测量在每个负载上产生的电流和电压后生成的。一种方法是通过高额定功率电位计或负载箱的多种设置进行迭代，并在每个点上实施测量。这种方法有一个缺陷：短暂的遮蔽或照明，比如飞鸟、云彩、或明亮反射体越过头顶，会引起输出功率的瞬间下降或骤增，...
四、直流I-V测量 本节描述了用于表征生物场效应管的常见直流I-V测量,包括传输特性(Id-Vg)、输出特性(Id-Vd)和漏电流与时间测量(Id-t)。 传输特性(Id-Vg) 生物场效应管上最常见的电气测量可能是传输特性,它绘制漏极电流与栅极电压的关系。转移特性通常与正在研究的病原体或其他生物因素的浓度有关。