HYG032N08NS1P 完美替代 MDP1932 产品特点: 低内阻 符合RoHS标准 100% DVDS测试 100% UIL测试 优势: 驱动损耗低 通态损耗小 抗冲击能力强 稳定的工艺能力 高可靠性 以下是其它60V-90V SGT MOSFET满足不同客户需求 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
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华羿微代理商 HYG032N08NS1P N沟道增强型MOSFET 特征: 80V/180A RDS(ON)=3 mΩ(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche测试 可靠且坚固的 无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准) 应用: 切换应用程序 逆变器系统的电源管理 电机控制 详情请咨询我司业务15986786916...
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