噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz增益: 12dB ~ 18dB功率- 最大值 : 250mW不同Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 10mA,8V电流- 集电极(Ic)(最大值) : 35mA工作温度 : 150°C(TJ)安装类型 : 表面贴装封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,...
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz增益: 8.5dB ~ 13dB功率- 最大值 : 700mW不同Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 70mA,8V电流- 集电极(Ic)(最大值) : 210mA工作温度 : 150°C(TJ)安装类型 : 表面贴装封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,...
不同Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 900mV @ 30mA,300mA电流- 集电极截止(最大值) : 10µA不同Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 40 @ 200mA,1V功率- 最大值 : 330mW频率- 跃迁 : 150MHz工作温度 : 150°C(TJ)安装类型 : 表面贴装封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-...
系列: - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN 电压- 集射极击穿(最大值) : 12V 频率- 跃迁 : 8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 12dB ~ 18dB 功率- 最大值 : 580mW 不同Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 30mA...