高温GATE BIAS ( HTGB ) 测试电路 条件 DUT 偏见: 温度: 持续时间: 测试点: VGE =根据需要 TMAX 2000小时名义 168, 500, 1000, 1500年, 2000小时名义。 D DC BIAS D =二极管只CoPack设备 用途 高温栅偏压的目的是强调与设备 施加偏压至栅极,而在升高的结温,加速时间 该栅极结构的依赖介电击穿