制造商产品型号:MRF7S15100HSR3 制造商:飞思卡尔半导体 Freescale(已被NXP恩智浦收购) 描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780S 系列:- 晶体管类型:LDMOS 频率:1.51GHz 增益:19.5dB 电压- 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流- 测试:600mA 功率- 输出:23W 电压- 额定:65V 产品封装:NI-780S 供...
MRF8S21100HSR3 概述 RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET MRF8S21100HSR3 数据手册通过下载MRF8S21100HSR3数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等...
MRF8S21100HSR3 Type RF TRANSISTOR Brand Name original brand Package Type Throught Hole Other attributes Mounting Type SMT/SMD Description RF MOSFET Place of Origin Original Package / Case standard Operating Temperature 150°C (TJ) Series all type of transistor D/C NEW Application MOSFET driver Su...
制造商产品型号:MRF6S23100HSR3 制造商:飞思卡尔半导体 Freescale(已被NXP恩智浦收购) 描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S 系列:- 晶体管类型:LDMOS 频率:2.3GHz 增益:15.4dB 电压- 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流- 测试:1A ...
制造商产品型号:MRF6S23100HSR3 制造商:NXP(恩智浦半导体) 描述:FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态:停产 晶体管类型:LDMOS 频率:2.4GHz 增益:15.4dB 电压-测试:28V 额定电流(安培):- 噪声系数:- 电流-测试:1A 功率-输出:20W 电压-额定:68V 封装:NI-780S 现...
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MRF7S15100HSR3 240Kb/13PRF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs More results NXP半导体是一家公开交易的跨国公司,设计,开发和制造各种半导体和集成电路,用于各种应用,包括汽车,工业,通信和消费市场。 该公司成立于2006年,总部位于荷兰的埃因霍温。
零件状态:停产 晶体管类型:LDMOS 频率:1.51GHz 增益:19.5dB 电压-测试:28V 额定电流(安培):- 噪声系数:- 电流-测试:600mA 功率-输出:23W 电压-额定:65V 封装:NI-780S 现在可以订购MRF7S15100HSR3,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
型号:MRF6S23100HSR3 品牌:FREESCALE飞思卡尔 用途:通信 类型:数字集成电路 导电类型:单极型 功能:模拟电子开关 集成度:小规模 封装外形:金属壳圆形型 供应商信息 公司地址深圳市福田区振兴路109号华康办公楼B栋二层209#统一社会信用代码91440300559898229N ...
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