(EX. HSM126S) Vcc GND Input R + Surge – Surge D1 D2 Vcc IC / LSI Vin 0.35V GND 0.35V Built-in diode VF •=• 0.7V 4 Package Dimensions Laser Mark 0.4 + – 0.10 0.05 3 S14 21 0.95 0.95 1.9 2.8 + – 0.3 0.1 HSM126S Unit: mm 0.16 + – 0.10 0.06 0 – 0.10 1 ...
HSM126S-E 概述 UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MPAK-3 瞬态抑制器 HSM126S-E 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Obsolete 包装说明: MPAK-3 针数: 3 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.10.00.50 风险等级: 5.5 Is Samacsys: N ...
HSM126S3Reverse voltage V (V)R10–710–50510 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和其他半导体的
制造商型号:HSM126S-JTR-E 制造商: Renesas Electronics America Inc 封装:- 产品类别: 商品描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE 定价(未税) 数量单价总价 6682.591730.12 库存数量:8133发货时间:最小起订:668 包装:Bulk 单价:¥2.59总价:¥1730.12 联系客服 ...
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HSM126SSilicon Schottky Barrier Diode for System ProtectionADE-208-111C (Z)Rev. 3May 1995Features• HSM126S which is connected in series configuration enable to protect electric systems from miss-operation against external + and – surge.• Low VF an
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