当门级电容值到达一定量级之后,用HSA6880原本50mA的软关断电流进行关断会导致关断时间过长,进而导致IGBT/MOS承受大电流的时间加长,增大了损坏的风险。在如下图4所示方案中,建议在GATE至门级的通路中增加一个电阻R2,以及一个对VNEG的PNP三极管Q1,此举一方面通过PNP管放大GATE内软关断电流能力,另一方面保留了米勒钳位...
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