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HMABAGR7A4R4N-VN内存条HMAA8GL7AMR4N-TF 据韩媒报道,SK海力士距离下一代存储器HBM2E量产又近了一步。美国半导体公司Synopsys最近宣布,它将基于其封装技术向SK海力士提供一种SoC接口解决方案,用于制造HBM2E。该SoC基于台积电7nm工艺制造,符合JEDEC的HBM2E SDRAM标准。SK海力士自去年8月份宣布成功研发HBM2E芯片,与以前...
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