HKUST-1负载SiO2纳米材料通常表示一种复合材料,由两个主要组成部分组成:HKUST-1(金属有机框架)和SiO2(二氧化硅)。 HKUST-1:HKUST-1是一种金属有机框架(MOF),由金属离子和有机配体构成。MOFs通常具有高度有序的孔隙结构,适用于气体吸附、分离、储存和催化等应用。HKUST-1的具体结构和性质将由其组成的金属离子和有...
HKUST-1负载SiO2纳米材料通常表示一种复合材料,由两个主要组成部分组成:HKUST-1(金属有机框架)和SiO2(二氧化硅)。 HKUST-1:HKUST-1是一种金属有机框架(MOF),由金属离子和有机配体构成。MOFs通常具有高度有序的孔隙结构,适用于气体吸附、分离、储存和催化等应用。HKUST-1的具体结构和性质将由其组成的金属离子和有...
HKUST-1负载SiO2纳米材料（HKUST-1@SiO2）是一种复合材料，包括HKUST-1金属有机框架和SiO2二氧化硅。HKUST-1由金属离子和有机配体构成，具有高度有序的孔隙结构，适用于气体吸附、分离、储存和催化应用。SiO2作为载体，具有良好的化学稳定性和生物相容性，被用于保护材料或药物输送。这类材料状态多样，包括...
HKUST-1 was grown on the ceramic surface by step-by-step in-situ growth method to obtain the HKUST-1/SiO2 composite material. The HKUST-1/SiO2 composite material was characterized by X-ray powder diffraction (XRD), fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), scanning electron microscopy ...
以多孔二氧化硅片为基底,通过接枝硅烷偶联剂制备高稳定性能的SiO2与HKUST-1复合无机膜.具体做法是将3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷拌接枝在SiO2片上,在SiO2片表面上接枝的氨基可以参与生长HKUST-1膜,从而制备出大面积连续致密的HKUST-1无机膜.通过X-射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),热重分析(TGA),单组份及混合组分...
HKUST-1 silica aerogel composite (HKUST-1@SiO2) has been studied as a stationary phase for the efficient separation of unsaturated hydrocarbons from saturated aliphatics by conventional liquid chromotography (LC). HKUST-1@SiO2 has been prepared via an advanced sol–gel method and subsequent drying...
Flow catalysisEmulsionHKUST-1@silica aerogel composite pellets (HKUST-1@SiO2) were prepared by the coupled sol–gel and water-in-oil emulsion method using supercritical CO2 drying. The structure and morphology of HKUST-1@Sidoi:10.1007/s10971-017-4455-3Shalygin, Anton S....
MOFs-FeⅡ-Co PBAs-HKUST-1/磁性SiO2-Fe3O4纳米微球 磁性Fe3O4纳米粒子形貌为球形,粒度均一,分散性良好,粒径为5-10nm,具有热稳定性. 更多关于MOF多孔复合系列材料 欢迎关注了解咨询 瑞禧供应多孔MOF相关产品: ZnCo-MOF-Gr复合材料 Au-MOF复合材料 ...
The HKUST-1/SiO2 composite material was characterized by X-ray powder diffraction (XRD), fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectrometer (EDS), thermogravimetric analysis (TG). The HKUST-1/SiO2 composite material not only has the ...
48、在si片上制备hkustj膜的例子,而hermes 等人在合成mof-5膜的过程中对比过用sich裸表面和-cooh修饰过的sio2 表面作为基底的不同,他们得到的sem图显示sich裸表面上几乎没有晶体, -cooh修饰过的sio2表面上则覆盖有大量的晶体,hermes认为这种差异是由 sio2表面较低是界电子点(iep = 22.5)导致的。zhu等人阿提出...