制造商 SK Hynix 封装/ 箱体 FBGA-556 RoHS 是 工作温度 -30~105C DRAM 类型 DRAM LPDDR4X 容量 6 GB 工作电压 1.8V / 1.1V / 0.6V 速率 4266Mbps 可售卖地 全国 型号 H9HKNNNEBMAVAR-NEH 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随...
制造商 SK HYNIX DRAM 类型 DRAM LPDDR4x 针脚数 376ball RoHS 是 封装/ 箱体 FBGA-376 容量 64Gb (8GB) 工作电压 1.8V / 1.1V / 0.6V 速度 4266Mbps 可售卖地 全国 型号 H9HKNNNFBMAUDR-NEH PDF资料 易失性存储器-DRAM动态随机存储器-H9HKNNNFBMAUDR-NEH-SK HYNIX-FBGA-376-23+...
品牌: SKHYNIX/海力士 封装: FBGA-556 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: SK Hynix 封装/ 箱体: FBGA-556 RoHS: 是 工作温度: -30~105C DRAM 类型: DRAM LPDDR4X 容量: 6 GB 工作电压: 1.8V / 1.1V / 0.6V 速率: 4266Mbps 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能...
品牌: SK HYNIX/海力士 封装: FBGA-556 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: SK HYNIX 容量: 64Gb(8GB) 封装/ 箱体: FBGA 556 ball 工作电压: 1.8V / 1.1V / 0.6V 无铅/环保: 无铅/环保 DRAM 类型: DRAM LPDDR4X RoHS: 是 工作温度: -30°C ~ +105°C 速度: 4266Mbps 价...
品牌:SK HYNIX/海力士 IC 类别:LPDDR4 SDRAM IC代码:1GX16 LPDDR4 产品详情 脚位/封装:FBGA-200 无铅/环保:无铅/环保 电压(伏):1.1 V 温度规格:-25°C~+85°C 速度:1866 MHz 其他型号分销: K4E8E324EB-EGCG K4E6E304EC-EGCG K4F8E3S4HD-MGCL ...
SAMSUNG KLM8G1GESD-B04P BGA 工规级别EMMC 8GB 5.1内存颗粒 BGA153 ￥38.00 查看详情 KLMCG4JETD-B041 eMMC 嵌入式多媒体卡 128Gb x4 集成电路芯片 64GB ￥120.00 查看详情 K4A8G085WC-BCTD DDR4 动态随机存储器 SAMSUNG三星 2666 Mbps 全新 DRAM ￥28.00 查看详情 NT5CB512M8EQ-FL DDR3 存储IC NANYA...
SKHYNIX 手机运行内存芯片 同步动态随机存储器H9HKNNNEBMAVAR H9HKNNNEBMAVAR 2500 SKHYNIX FBGA 17+ ￥5.0000元5~7 个 ￥4.0000元8~9 个 ￥3.0000元>=10 个 深圳市千科宇科技有限公司 6年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 HK32F04AG6U6 32位ARM微控制器 QFPN28 存储器容量 输入输出口数量 HK...
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 电子元器件 Hynix(海力士) ¥ 0.85 /个 H9HKNNNEBMAVAR-NEH,Hynix(海力士) 电子元器件/集成电路(IC)/其他集成电路 立即拨号 海力士芯片现货 H9HKNNNCTUMUBR-NMH BGA全新内存芯片 H9HKNNNCT 价格面议 海力士,H9HKNNNCTUMUBR,NMH,H9HKNNNCT 电子元器件/集成电路(IC)/专用IC...
先拿一条Hynix现代的256M的DDR333笔记本内存条的图片举例说明,是从电脑城里买来的,有点代表性,如下图一:图中标签上最上面是生产厂家Hynix的标志,也就是从现代公司分离单独成立的Hynix半导体公司。最下面是表示内存条容量为256M,是DDR333的,CL值为2.5。中间PC2700表示内存带宽是2700MB/s,HY开头一行需要对照Hynix的...
H9HKNNNEBUMUBR是一种高速同步DRAM器件，内部配置为2通道存储器，每个通道具有8个存储区。这些设备每个...