HiPIMS原理 High Power Impulse Magnetron Sputtering(HiPIMS)是高功率脉冲磁控溅射技术,最早由1999年瑞典Kouznetsov等开发采用功率脉冲作为磁控溅射的供电模式,在保持相同平均功率,通过缩短脉冲电源的脉冲时间到30-300us,同时控制脉冲频率在100-1000Hz,使得瞬间峰值功率增加三个数量级(如下图所示),从而产生超高密度(1018至...
HIPIMS电源工作原理:HIPIMS电源在传统磁控溅射电源基础上,通过特殊的电路设计和控制技术,能够产生高功率的脉冲电压。在脉冲的高功率阶段,大量的氩离子被加速轰击靶材,瞬间从靶材上溅射大量原子,极大提高溅射速率;在脉冲间歇期,等离子体中的带电粒子有时间进行扩散和复合,有利于维持等离子体的稳定性,同时也让基片有时间散...
在恒流控制下，HIPIMS电源可以根据设置的目标电流和靶材的材料特性，自动调整脉冲电压和频率，以维持稳定的电流输出。这样可以实现更精确、更可靠的离子束控制，从而得到更高品质的薄膜。特殊情况 虽然在某些情况下，如对于一些特殊材料或薄膜制备需求，恒压控制的HIPIMS电源也有可能被使用，但通常情况下，仍然...
HIPIMS 电源即高功率脉冲磁控溅射电源,是一种用于磁控溅射镀膜过程的电源设备,其原理基于在传统磁控溅射电源基础上进行高功率脉冲化改进,具体如下: 传统磁控溅射原理基础:在传统磁控溅射系统中,阴极(靶材)和阳极(基片或真空室壁)置于真空环境中,并充入一定量的惰性气体(如氩气)。当在阴阳两极间施加直流电压时,氩气被...
HIPIMS脉冲磁控溅射的工作原理 脉冲磁控溅射是一种用矩形波电压脉冲电源代替传统直流电源的磁控溅射。脉冲磁控溅射技术能有效地控制电弧的产生,消除由此产生的薄膜缺陷,并能提高沉积速率、降低沉积温度等一系列显著的优点。 脉冲可分为双向脉冲和单向脉冲。在负电压段,电源作用于靶材料的溅射。在正电压部分,引入积聚在目标...
hipims磁控溅射原理 hipims磁控溅射原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和...