但是传统high-k材料在沟道界面处存在更多的散射和俘获效应,同时直接沉积的方式容易损伤2D材料的导电沟道。hBN、CaF2与2D材料可以形成更完美的沟道界面,但是其介电常数相对较低。因此,制备高介电常数、低缺陷、低漏电的栅介质一直是2D FETs研究中的一个重要课题。针对这一问题,一篇high-k钙钛矿栅介质用于2D FETs的研究...
万分之五高精密薄膜电阻RT0603WRB076K2L 0603 6.2K 0.05% 10PPM RT0603WRB076K2L 168000 YAGEO/国巨 0603(1608) 原装新货 ￥1.0000元>=1 个 深圳市集科微电子有限公司 2年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 RT1206BRE0752K3L 千分之一薄膜电阻52.3K 0.1% 50ppm 1206 ...
高k电介质薄膜 1. research of High-k dielectric films for MOS gate dielectric applications;b. 本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。 更多例句>> 3...
1.research of High-k dielectric films for MOS gate dielectric applications;b.本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。 英文短句/例句 1.Research on the Fabrication of High-k Diele...
百度爱采购为您找到8家最新的容量 绝缘膜 high-k产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
据了解,微导纳米研制的high-k薄膜原子层沉积设备能够满足国内外先进半导体制造工艺的技术需求,解决了当前国内逻辑芯片制造28nm技术节点、高电介质(high-k)材料工艺和装备技术国产化的问题,并具有向先进节点延伸的可能性,打破了长期的国外垄断。黎微明博士透露,目前他们还在大力推进上游生态的国产化,争取到今年年底该套设备...
本文采用溶胶凝胶法成功制备了HfO2-ZITO TFT和Al2O3-ZITO TFT.同时对HfO2和Al2O3薄膜的基本特性包括表面性能,结晶性能,介电常数进行了对比.HfO2相较于Al2O3薄膜而言,更容易结晶,表面粗糙度大但相对介电常数大.这导致了以其为绝缘层的TFT器件关态电流较大.但是由于Al2O3薄膜的相对介电常数小导致开态电流稍低...
免费查询更多high k薄膜带负电详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
Leakage current mechanisms of ultrathin high-k Er2O3 gate dielectric film超薄高介电Er2O3栅介质薄膜的漏电机理 来自 Semantic Scholar 喜欢 0 阅读量: 81 作者:D Wu,J Yao,H Zhao,A Chang,F Li 摘要: 采用激光分子束外延设备在不同温度下制备了不同厚度的超薄晶态,非晶态高介电Er2O3栅介质薄膜,用...
主要应用 光伏行业:晶硅电池减反膜、薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池 半导体行业:High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺 平板显示行业:TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片 ...