表面平整度对high k metal gate膜层结构的稳定性有作用 。沉积技术的优劣影响膜层的均匀性 。在集成电路中,该膜层结构助力提升芯片性能 。优化的膜层结构可提高器件的开关速度 。热稳定性是衡量high k metal gate膜层结构的重要指标 。膜层之间的界面特性影响电荷输运 。精确的光刻技术用于确定膜层结构的图案 ...
ALD 技术在high-k 材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV,以及浅沟道隔离等工艺中均存在大量应用,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。 据了解,微导纳米研制的high-k薄膜原子层沉积设备能够满足国内外先进半导体制造工艺的技术需求,解决了当前国内逻辑芯片制造28nm技术节点、高电介质(high-k)材...
高k薄膜 2) High-k dielectric films 高k电介质薄膜 1. research ofHigh-k dielectric filmsfor MOS gate dielectric applications;b. 本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。
金属/high-k酸化膜界面の熱的混晶化安定性 中山 隆史 被引量: 0发表: 2006年 Surface Resistance in the High-Tc BSCCO Superconducting Thin Films with Phase Intergrowth BSCCO酸化物高温超伝導混晶薄膜の表面抵抗Group codesGaussian channelsInformation theoryMathematicsSymmetric matricesTelecommunicationsA number of...
半导体ALD设备:适用于原子级厚度控制以及三维、超高深宽比结构器件内壁等薄膜沉积工艺,如半导体 High-k 介质层、金属栅极、金属互联阻挡层、多重曝光技术等。 查看图片 引用: 2025-01-02 11:38 首先本次可转债问询回复函要回答:到期能否偿还本息的问题,公司围绕要做、能做、能做成的项目回复说明,而不是今后两三...
光伏行业:薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池 半导体行业:High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺 平板显示行业:TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片 光电行业:光波导、减反膜、III-V族器件、MEMS、溶胶凝胶 ...
Leakage current mechanisms of ultrathin high-k Er2O3 gate dielectric film超薄高介电Er2O3栅介质薄膜的漏电机理 来自 Semantic Scholar 喜欢 0 阅读量: 90 作者:D Wu,J Yao,H Zhao,A Chang,F Li 摘要: 采用激光分子束外延设备在不同温度下制备了不同厚度的超薄晶态,非晶态高介电Er2O3栅介质薄膜,用...
相比于传统的high-k栅介质,该工作的最大突破在于打破了介电常数与器件漏电之间的矛盾关系。具体来说,该研究采用化学刻蚀牺牲层的方式制备了原子层平整度的SrTiO3薄膜,基于该薄膜的MoS2 FET表现出高开关比和低SS,且与MoS2形成vdW界面可以有效抑制短沟道器件的FIBL,从而获得<80mV/dec的SS(沟长>35nm的器件)。另外,...
1.检测项目: 检测薄膜厚度(thickness)、折射率(n)及消光系数(k) 2.检测说明: 利用椭圆偏光量测透明或半透明之薄膜,藉由量测到之偏极光的状态改变,而去取得想要的信息,是种非破坏性的检测。 3.检测仪器: 椭圆偏光仪 4.检测范围: 量测角度: 60°~75° ; 量测厚度:100 Å-2μm ; 波长范围从 300nm~...
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