高介电常数材料或称high-K材料,k即介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-K)材料和高介电(high-K)材料。在半导体制造过程中,一般来说low-k材料介电常数低于3.0;而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-K材料。 Mos管 Hig...
High-K高介电前驱体是一种用于制造半导体器件的材料,其主要作用是替代传统的二氧化硅作为介电层材料。High-K材料具有高介电常数,可以在相同厚度下提供更好的电绝缘性能,从而减少器件漏电。同时,High-K材料的热稳定性好,可以在高温下保持稳定的介电性能,提高器件的可靠性。 二、High-K高介电前驱体的应用领域 High...
二维材料在晶体管尺寸微缩方面表现出超越硅的潜力,尤其是当物理尺寸下降至亚10纳米量级。然而要保证2D FETs的优异器件性能,具有极高电容的栅介质必不可少,这通常采用介电常数高的Al2O3、HfO2来实现。但是传统high-k材料在沟道界面处存在更多的散射和俘获效应,同时直接沉积的方式容易损伤2D材料的导电沟道。hBN、CaF2...
所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1)高介电常数,≤50 nm CMOS器件要求k >20;(2)与Si有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态,以减...
在材料方面,7nm工艺需要使用高介电常数(high-k)材料和金属栅极(HKMG),以替代传统的硅氧化物栅极材料。这些材料的引入不仅提高了晶体管的性能,还降低了功耗。高介电常数材料HfO2能够显著提高晶体管的性能,降低栅极漏电流,这些改进使得晶体管在更小的尺寸下仍能保持良好的性能和低功耗特性。网页链接 ...
所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1)高介电常数,≤50 nm CMOS器件要求k >20;(2)与Si有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态,以减...
“K”代表介电常数,一般指的是材料集中电场的能力。在高介电常数的绝缘体中,相同的材料厚度下,该材料能够储存更多的电流容量。因此,High-K材料一般指高介电常数的材料。 导读 近日,美国斯坦福大学和SLAC国家加速器实验室的研究人员共同发现将硒化铪(HfSe2)和硒化锆(ZrSe2)这类High-K材料降低厚度变成2D的超薄材...
k指的是介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-k)材料和高介电(high-k)材料。一般low-k材料介电常数低于3.0;high-k材料是相对于SiO2而言,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-k材料。 为什么要采用high-k材料?
半导体制程高介电(HighK)材料的介绍-台大化学系.PDF,半導體製程㆗高介電(半導體製程㆗高介電(High K )材料的介紹)材料的介紹 半導體製程㆗高介電(半導體製程㆗高介電( )材料的介紹)材料的介紹 江長凌 林煥祐 朱智謙 台灣大學化研所 隨著電子產品的高功能