第一个是第二时序里的DRAM Refresh Interval,改为65535,别家对应的小参名字我原先都有教程,找找就行。 第二个是第三时序里的tWRWR_sg,改为16,就好了。 回到上一级菜单下拉我们来调节相关的电压。首先打开High DRAM Voltage Mode,解锁内存电压上限,然后把内存VQQ和VDDQ电压改为1.56和1.55V(可在1.52-1.58V之间...
内存电压方面,由于海力士颗粒比较吃电压,普通的需要解锁内存电压限制(High DRAM Voltage Mode)默认最高只能1.435,内存电压设置如上图:DRAM VDD和VDDQ电压根据内存体质设定,我定的是1.55和1.51。 值得注意的是,在第三时序上tWRAR_sg这个选项选择16,这个选项比较影响效能,假设默认AID跑速率只有100g,这个设置16后就能跑1...
HIGH DRAM VOLTAGE MODE(解锁内存电压选项)开启 内存电压给1.55进入IMC电压调节 吹雪主板默认的AUTO IVR(VDDQ)给的是1.5以上 根据内存频率这里我锁到1.375 经过我测试默认电压太高高温烧鸡影响IMC稳定 这个电压根据个人IMC体制而定需要自己摸索 你要是XMP就无视它!MCV电压锁定1.4就好 1.425就会不稳定报错,但是我用APEX...
Threshold voltage (V/sub t/) roll-off/roll-up control is a key issue to achieve high-performance sub-0.2-/spl mu/m single workfunction gate CMOS devices for high-speed DRAM applications. It is experimentally confirmed that a combination of well RTA and N/sub 2/ implant prior to gate ox...
DRAM: 4 GiBMMC: FSL_SDHC: 1, FSL_SDHC: 2Loading Environment from MMC... trying mode widtsignal_voltageh 8 (at 200 MHz)*** Warning - bad CRC, using default environment probe video device failed, ret -2 [0] lcd-controller@32e90000, video[1] lvds-channel@0, display[2] lvds0_...