平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT78 (TO-220AB)塑料封装,旨在用于可能发生高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。该“B系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的额定RMS电流而无需缓冲器的帮助。 特性和优势 三象限技术增强了抗噪性 高阻断电压功能 高换向能力实现最大误触发干扰 通过dV...
产品种类: 双向可控硅 RoHS: 是 开启状态RMS电流 - It RMS: 8 A 不重复通态电流: 65 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 10 uA 开启状态电压: 1.3 V 保持电流Ih最大值: 50 mA 栅极触发电压-Vgt: 0.7 V 栅极触发电流-Igt: 35 mA 最大工作温度: + 125 C...
产品种类: 双向可控硅 RoHS: 是 开启状态RMS电流 - It RMS: 8 A 不重复通态电流: 65 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 800 V 开启状态电压: 1.3 V 保持电流Ih最大值: 50 mA 栅极触发电压-Vgt: 0.7 V 栅极触发电流-Igt: 35 mA 最大工作温度: + 125 C 安装风格: Through Hole 封装...
平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT186A“整装式”塑料封装。该三端双向可控硅旨在用于可能发生极高阻断电压、高静态和动态dV/dt以及高dIcom/dt的电机控制电路。该“C系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的额定RMS电流而无需缓冲器的帮助。
平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT186A“整装式”塑料封装。该三端双向可控硅旨在用于可能发生极高阻断电压、高静态和动态dV/dt以及高dIcom/dt的电机控制电路。该“C0系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的额定RMS电流而无需缓冲器的帮助。
平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT78D (TO-220AB)内部绝缘塑料封装,旨在用于可能发生高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。该“B系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的RMS电流而无需缓冲器的帮助。该器件具有高 Tj工作功能和内部绝缘底座。
平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT186A (TO-220F)“整装式”塑料封装,旨在用于可能发生高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。该“C系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的额定RMS电流而无需缓冲器的帮助。 特性和优势 三象限技术增强了抗噪性 ...
BTA412Y-800B:三象限Hi-Com三端双向可控硅 平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT78D (TO-220AB)内部绝缘塑料封装,旨在用于可能发生高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。该“B系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的RMS电流而无需缓冲器的帮助。该器件具有高 Tj工作功能和内部绝缘底座...
平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT186A (TO-220F)“整装式”塑料封装。该“D系列”三端双向可控硅平衡了换向性能和栅极灵敏度要求。该极敏感栅极“D系列”旨在用于连接包含微控制器的低功耗驱动器。非首选三端双向可控硅。对于新设计,请使用BTA312X系列。
BTA204X-800C:三象限Hi-Com三端双向可控硅 平面钝化高换向三象限三端双向可控硅采用SOT186A (TO-220F)“整装式”塑料封装,旨在用于可能发生高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。该“C系列”三端双向可控硅可在最大额定结点温度下交换完整的额定RMS电流而无需缓冲器的帮助。