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新品HGTG7N60A4D G7N60A4D TO263 600V,SMPS系列N沟道IGBT 汕头市潮南区陈店飞粤电子商行 12年 月均发货速度: 暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥3.50 热卖HGTG7N60A4D G7N60A4 IGBT管 7A600V TO-247全新实图现货 深圳市嘉博创科技有限公司 5年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
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类似零件编号 - HGTG11N120CND 制造商部件名数据表功能描述 Intersil CorporationHGTG11N120CND 82Kb/7P43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000 ON SemiconductorHGTG11N120CND 437Kb/10PNPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode ...
厂家直营 5N120BND 大功率IGBT管 TO-247 场效应管 HGTG5N120BND 深圳市亿信源电子有限公司 8年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥6.00 IGBT场效应管 HGTG5N120BND 深圳市兴科泰科技有限公司 15年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥100.00 HGTG5N120BND 场效应管...
HGTG11N120CND由ON设计生产。HGTG11N120CND封装/规格:Vce饱和压降/2.4V:工作温度/-55℃~+150℃:安装类型/插件:集射极击穿电压Vce(Max)/1.2KV:晶体管类型/NPT:集电极电流 Ic/43A:额定功率/298W:集电极-发射极电压 VCEO/1.2KV:关断延迟时间/180ns:开通延迟时间/23ns:关断损耗/1.3mJ:导通损耗/0.95mJ:元件生...
HGTG11N120CN的基本参数如下：类型：结型电子器件，具体为N沟道增强型，适用于NF/音频的低频应用场合。封装外形：采用PDIT/塑料双列直插设计，主要材料是IGBT绝缘栅比极，具有良好的绝缘性能和耐高温特性。电压特性：开启电压和夹断电压均为1200伏特，低频跨导为1微西门子，极间电容为1皮法。噪声控制：低频...
产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 是 封装/ 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 栅极/发射极最大电压: 20 V 在25 C的连续集电极电流: 43 A Pd-功率耗散: 298 W 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 系列: HGTG11N120CND...
HGTG11N120CND 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Not Recommended 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 风险等级: 7.03 其他特性: LOW CONDUCTION LOSS 最大集电极电流 (IC): 43 A 集电极-发射极最大电压: 1200 V 配置: ...
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG11N120CND 单晶体管, IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚查看详情 TO-247-3 52周 2001年 ¥17.003 数据手册(17) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (5) 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 ...