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型号 HGTG11N120CND 技术参数 品牌: FSC 型号: HGTG11N120CND 封装: TO-3P 批号: 2020+ 数量: 15000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 8V 长度: 3.9mm 宽度: 4.2mm 高度: 1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
HGTG30N60A4D G30N60A4 MOS管 场效应管 TO-247 广州市乔汇电子有限公司15年 月均发货速度:暂无记录 广东 广州市越秀区 ¥120.00 HGTG30N60A4D 60A 600V大功率IGBT场效应管 ON/安森美 封装TO-247 深圳市月虹电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
类似零件编号 - HGTG11N120CND 制造商部件名数据表功能描述 Intersil CorporationHGTG11N120CND 82Kb/7P43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000 ON SemiconductorHGTG11N120CND 437Kb/10PNPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode ...
HGTG11N120CND由ON设计生产。HGTG11N120CND封装/规格:Vce饱和压降/2.4V:工作温度/-55℃~+150℃:安装类型/插件:集射极击穿电压Vce(Max)/1.2KV:晶体管类型/NPT:集电极电流 Ic/43A:额定功率/298W:集电极-发射极电压 VCEO/1.2KV:关断延迟时间/180ns:开通延迟时间/23ns:关断损耗/1.3mJ:导通损耗/0.95mJ:元件生...
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG11N120CND 单晶体管, IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚查看详情 TO-247-3 52周 2001年 ¥17.128 数据手册(17) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (5) 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 ...
产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 是 封装/ 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 栅极/发射极最大电压: 20 V 在25 C的连续集电极电流: 43 A Pd-功率耗散: 298 W 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 系列: HGTG11N120CND...
HGTG11N120CND 由ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 HGTG11N120CND 价格参考￥ 22.09999 。 ON HGTG11N120CND 封装/规格: TO-247-3, 43A,1200V,NPT系列N沟道IGBT,带反并联超快二极管 TO247-3。你可以下载 HGTG11N120CND 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明...
HGTG11N120CND 现货充足 全新原装 场效应管 1200V 43A 封装DIP 复购率:0% 2年 24小时发货 ￥0.2成交0笔 深圳市 HGTG11N120CND 11N120CND TO-247 MOS场效应管 全新原装 复购率:0% 9年 ￥8.2成交0笔 深圳市 热卖HGTG11N120CND 11N120CND 43A1200V IGBT全新MOS场效应管+ ...
品牌名称 onsemi(安森美) 商品型号 HGTG11N120CND 商品编号 C442447 商品封装 TO-247-3 包装方式 管装 商品毛重 6.908克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录IGBT管/模块 IGBT类型NPT(非穿通型) 集射极击穿电压(Vces)1.2kV 集电极电流(Ic)43A ...