据麦姆斯咨询报道,中国电子科技集团公司第十一研究所的科研团队通过对现有的几类主流HgCdTe APD器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(HDVIP)和吸收-倍增分离(SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,...
2019年,美国宇航局的孙晓丽、克雷蒙斯等人开发了一套线性模式单光计数HgCdTe APD焦平面阵列, HgCdTe APD阵列使用高密度垂直集成光电二极管架构,如图3所示。集成探测器(含制冷器)组件的质量为0.8kg,功耗7W左右,2×8像素HgCdTe APD FPA的尺寸为64μm×64μm,像素间距为 64μm,具有0.9~4.3μm波长的光谱响应,在250...
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1、低缺陷碲镉汞材料的生长技术,由于HgCdTe APD光电二极管工作偏压较高,材料内部的位错会导致器件在高偏压下的性能变差,因此要求碲镉汞外延材料具有较低的位错密度; 2、pn结结技术,离子注入和退火技术,这是HgCdTe APD制备平面结的关键技术之一,离子注入后,通过退火控制各区域的位置及掺杂浓度,形成理想的PIN结构; 3、暗...
Sylvain GoutM. FournierJean-Paul ChamonalGerard DestefanisFrederic PistoneSolene CourtasConference on infrared technology and applications XXXVJ. Rothman et al., "HgCdTe APD-focal plane array performance at DEFIR," Proc. SPIE 7298, 729835 (2009)....
HgCdTe雪崩光电二极管(APD)探测器的设 计基于高度成功的高密度垂直集成光电二极管 (HDVIP)结构.如图l所示,HDVIP器件是一种 正面照射的圆柱形n—on—P光电二极管,它是围 绕HgCdTe中的一条小通路而形成的,小通路在 这里被当作n侧与读出电路输入端之间的互连 导管.在DRS公司,HDVIP结构目前已被用于 中波红外和长波...
The APD is based on a heterostructure in which the photons are detected in a wide-band-gap layer, and the photoelectrons are amplified in a vertical junction in a confined narrow-gap layer. The dark diffusion current and thermal background sensitivity of the device are limited by using a ...
(2)雪崩光电二极管(APD) 它的光谱工作范围同HgCdTePIN光电 二极管相同.并且它的整个光谱响应基本是均 匀的.在1.3m处雪崩偏压为一90V.在偏压 为一80V时,暗电流为50nA左右.倍增因子 约为16.噪声系数F是倍增因子M的函数: F(M)=M.,其中x约为2.6.它的工作带 宽>700MHz. (3)光发射器和集成光学器件 目前还...
Realization of high-performance HgCdTe APD According to the optimized structural parameters, avalanche photodiodes are manufactured. The fabrication process is shown in Fig. 4a and a detailed description can be found in the “Methods” section. An optical image of the fabricated HgCdTe avalanche device...
MBE based HgCdTe APD arrays, engineered for high performance, meet the stringent requirements of low defects, excellent uniformity and reproducibility. In situ controls for alloy composition and substrate temperature have been implemented at HRL, LLC and Raytheon Vision Systems and enable consistent run...