由于集总端口需要设置在模型内部,因此需要确保所选平面位于模型内部。 2、设置端口激励 在选中的平面上设置端口激励,并配置积分线(Integration Line)来确定电场的方向。积分线的箭头指向即为电场的正方向。同时,需要设置归一化阻抗(如50Ω)等参数。集总端口直接在端口处计算S参数,设定的端口阻抗即为集总端口上S参数...
设置方式二:Terminal + Wave Port 同样的结构,改成直接以一面的background boundary定义一个external wave port 比较lump port 与wave port 的S-parameter与传输线特性阻抗: 本例lump port的长度0.35mm来说,4GHz以后开始与wave port的模拟结果有差异。以FR4材质换算大约是l/100波长 Lump port的长度最好不超过l/1...
出现名为 “Incident Wave Source General Data”对话框,将Excitation Location and/or Zero Phase Position设置为 X坐标 =1000mm,然后单击“Next”,进入 “Incident Wave Source Cartesian Vector Setup”的对话框,将 E0 矢量设置为 Y=1V/M 和 K方向到X=-1,然后单击“Next”,“Incident Wave Source...
1.创建波端口面和地平面相接 2.设置波端口面:右键-Assign Excitation-Wave Port 3.设置积分校准线 4.设置归一化和端口平移 集总端口激励的终端驱动设置 1.将HFSS模式改为终端驱动模式:HFSS-Solution Type 2.在Microstrip1的右面,也即结构的右面设置集总端口激励,在右面建立一个平面,平面具体要求可以参看前面的端...
5 利用周期性边界仿真FSS材料的单站RCS,如采用Radiation boundary,在设置平面波激励的扫描角后,运行报错“Multiple scan angles for a spherical format incident wave are not supported when there is a master/slave boundary combination.”。 Ansys HFSS 2014版本后,采用Master/slave边界的周期结构如需计算入射波扫...
4.入射波激励(Incident Wave) 需要设置的参数:波的传播方向、电场的强度和方向 5.电压源激励(Voltage…) 电压源激励需要设置的参数:电压的幅度、相位和电场方向 电压源激励所在平面必须远小于工作波长,且平面上的电场是恒定电场 电压激励源是理想源,没有内阻,后处理时不会输出S参数 ...
Incident Wave5. Voltage6. Current7. Magnetic Bias激励方式的设置步骤波端口激励的模式驱动设置1.选择面2.右键-Assign Excitation-Wave Port3.设置积分校准线4.设置归一化和端口平移波端口激励的终端驱动设置1.将HFSS模式改为终端驱动模式:HFSS-Solution Type2.在Microstrip1的 2、右面,也即结构的右面设置波端口...
1、激励类型1.波端口(Wave Port)I.竺灿11瞅灿(wave 丿默认的情况下,所有三维物体口背呆之间的接触面都是理想的导体边界,没有能 呈可以进出:波端口设置在背景面上 用作模型的激励源井提供一个能呈进入/流 出的窗口 HFSS软件设定入射到端口上的每个模式的平均功率为世求解时,首先端口 1被 剑的信号激励,其他...
后处理中,选择facelist,三维视图中点击右键Plot Fields->Named Expression,弹出的对话框内选择J_t,点击OK,即可弹出电流显示设置界面,如下图: 15.Q:利用周期性边界仿真FSS材料的单站RCS,如采用Radiation boundary,在设置平面波激励的扫描角后,运行报错“Multiple scan angles for a spherical format incident wave are...
三、仿真设置 1、HFSS \ Excitations \ Assign \ Wave Port或Lumped Port 是把某个face给assign成为wave port,所以,操作前要先选择一个face;另外,前面选择HFSS设计solution type不同,这里添加的port类型也不同。 关于Wave Port和Lumped Port的区别问题: ...